VeTek Semiconductor의 고유한 초경 코팅은 까다로운 반도체 및 복합 반도체 재료 처리를 위한 SiC 에피택시 공정에서 흑연 부품에 대한 탁월한 보호 기능을 제공합니다. 그 결과 흑연 구성 요소 수명이 연장되고, 반응 화학양론이 보존되고, 에피택시 및 결정 성장 응용 분야로 불순물 이동이 억제되어 수율과 품질이 향상됩니다.
당사의 탄탈륨 카바이드(TaC) 코팅은 뜨거운 암모니아, 수소, 실리콘 증기 및 용융 금속으로부터 고온(최대 2200°C)에서 중요한 용광로 및 반응기 구성 요소를 보호합니다. VeTek Semiconductor는 귀하의 맞춤형 요구 사항을 충족할 수 있는 광범위한 흑연 처리 및 측정 기능을 보유하고 있으므로 귀하와 귀하의 특정 응용 분야에 적합한 솔루션을 설계할 준비가 되어 있는 전문 엔지니어 팀과 함께 유료 코팅 또는 풀 서비스를 제공할 수 있습니다. .
화합물 반도체 결정
VeTek Semiconductor는 다양한 부품 및 캐리어에 특수 TaC 코팅을 제공할 수 있습니다. VeTek Semiconductor의 업계 선도적인 코팅 공정을 통해 TaC 코팅은 고순도, 고온 안정성 및 높은 내화학성을 얻을 수 있어 결정 TaC/GaN) 및 EPl 층의 제품 품질을 향상시키고 중요한 원자로 구성 요소의 수명을 연장할 수 있습니다.
단열재
도가니, 시드 홀더, 디플렉터 및 필터를 포함한 SiC, GaN 및 AlN 결정 성장 부품. 저항 가열 요소, 노즐, 차폐 링 및 브레이징 고정 장치를 포함한 산업용 어셈블리, 웨이퍼 캐리어, 위성 트레이, 샤워 헤드, 캡 및 받침대를 포함한 GaN 및 SiC 에피택셜 CVD 반응기 구성 요소, MOCVD 구성 요소.
목적:
● LED(Light Emitting Diode) 웨이퍼캐리어
SiC 코팅과 TaC 코팅의 비교:
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SiC
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TaC
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주요 특징
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초고순도, 우수한 내플라즈마성
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우수한 고온 안정성(고온 공정 적합성)
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청정
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>99.9999%
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>99.9999%
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밀도(g/cm23)
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3.21
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15
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경도(kg/mm2)
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2900-3300
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6.7-7.2
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비저항 [Ωcm]
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0.1-15,000
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<1
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열전도율(W/m-K)
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200-360
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22
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열팽창계수(10-6/℃)
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4.5-5
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6.3
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애플리케이션
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반도체장비 세라믹지그(포커스링, 샤워헤드, 더미웨이퍼)
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SiC 단결정성장, Epi, UV LED 장비부품
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