CVD TaC 코팅 서셉터

Vetek CVD TaC 코팅 서셉터는 고성능 MOCVD 에피택셜 성장을 위해 특별히 개발된 정밀 솔루션입니다. 1600°C의 극한 고온 환경에서 뛰어난 열 안정성과 화학적 불활성을 보여줍니다. VETEK의 엄격한 CVD 증착 프로세스를 기반으로 당사는 웨이퍼 성장 균일성을 개선하고, 핵심 부품의 서비스 수명을 연장하며, 모든 반도체 생산 배치에 대해 안정적이고 신뢰할 수 있는 성능 보장을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다.

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제품 설명

제품 정의 및 구성

VETEK CVD TaC 코팅 서셉터는 3세대 반도체(SiC, GaN, AlN) 에피택셜 처리에 특별히 사용되는 고급 웨이퍼 캐리어 부품입니다. 이 제품은 두 가지 고성능 소재의 물리적 장점을 결합합니다.

고순도 흑연 기판: Isostatic Pressing Molding 공법을 활용하여 기판의 우수한 구조강도, 고밀도, 열처리 안정성을 확보하였습니다.
CVD TaC 코팅: 첨단 CVD(Chemical Vapor Deposition) 기술을 통해 흑연 표면에 치밀하고 응력이 없는 탄탈륨 카바이드(TaC) 보호층을 성장시켰습니다.

핵심 기술 장점: 탁월한 극한 환경 적응성

MOCVD 공정에서 TaC 코팅은 물리적 보호층일 뿐만 아니라 공정 반복성을 보장하는 핵심이기도 합니다.

극한의 고온에 대한 내성: TaC는 녹는점이 3880°C에 달해 1600°C 이상의 초고온 에피 공정에서도 우수한 형태 안정성을 유지합니다.

우수한 내식성: NH₃(Ammonia)나 H2(Hydrogen)이 함유된 강력한 환원환경에서 TaC의 부식속도가 매우 낮아 기질손실 및 불순물 석출을 효과적으로 방지합니다.

초고순도 보증: 코팅 순도가 99.9995%에 달합니다. 조밀한 구조는 흑연 미세 기공을 완전히 밀봉하여 에피텍셜 필름의 불순물 수준이 매우 낮도록 보장합니다.

정확한 열장 분포: VETEK의 최적화된 코팅 제어 기술은 서셉터 표면 온도 차이를 ±2°C 이내로 제어하여 웨이퍼 에피층의 두께와 파장 일관성을 크게 향상시킵니다.

기술적인 매개변수

TaC 코팅의 물리적 특성
프로젝트	매개변수
밀도	14.3(g/cm3)
특정 방사율	0.3
열팽창계수	6.3 10-6/K
경도(홍콩)	2000홍콩
저항	1×10-5Ω*cm
열 안정성	<2500℃
흑연 크기 변화	-10~-20um
코팅 두께	≥20um 일반 값(35um±10um)

미세한 단면에 탄탈륨 카바이드(TaC) 코팅:

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section

핵심 응용 분야

SiC(실리콘 카바이드) 에피택셜 성장: 6인치, 8인치 이상 SiC 파워 디바이스 생산을 지원합니다.

GaN(질화갈륨) 기반 장치: 고휘도 LED, HEMT 파워소자, RF 칩 등의 MOCVD 공정에 사용됩니다.

AlN(질화알루미늄) 및 UVC 성장: Deep UV LED와 같은 초광대역 밴드갭 소재를 위한 극고온(1400°C+) 캐리어 솔루션을 제공합니다.

맞춤형 연구지원: 다양한 불규칙 부품 및 다공 디스크에 대한 연구 기관의 정밀한 맞춤화 요구에 적응합니다.