재료 및 디자인

일치하는 기판과 코팅 조합을 선택하는 것은 조기 부품 고장을 방지하고 입자 오염을 줄이며 웨이퍼 수율을 최대화하는 열쇠입니다. 우리는 고객의 특정 프로세스 창(작동 온도, 반응성 가스 화학, 램프 속도)에 맞춰 맞춤형 재료 및 구조 설계 솔루션을 제공합니다.

우리의 핵심 설계 역량:

• 엄격한 CTE 스트레스 매칭:빠른 열 순환(>100°C/min)을 위해 고순도 흑연 기판과 CVD 코팅의 CTE 온도 곡선을 정확하게 일치시켜 코팅 박리 및 미세 균열 위험을 근본적으로 줄입니다.
• 공정 시나리오별 코팅 선택:Si/SiC 에피택시(Epi), MOCVD 및 플라즈마 에칭 환경을 위한 CVD SiC 코팅; 고온 및 강한 부식성 조건(예: SiC 단결정 PVT 성장)을 위한 CVD TaC 코팅입니다.
• 제어 가능한 저항률 및 열전도도 최적화:RF, ESC 정전 척 또는 가열 영역의 특정 전기 및 열장 요구 사항을 충족하기 위해 기판 및 코팅의 벌크 저항률 및 열 전도성을 정밀하게 제어합니다.
• 오염원 제어 및 CoO 감소:고순도 CVD 증착층은 다공성 흑연을 조밀하게 밀봉하여 입자 배출, 초미량 금속 불순물 확산 및 고온 가스 방출 위험을 크게 줄입니다.

일반적인 코팅 선택 비교(한눈에 보기 가이드)

실제 사례 및 고객 혜택(경험):

선도적인 SiC 에피택시(Epi) 제조업체:원래 부품은 일치하지 않는 CVD TaC 코팅을 사용하여 과도한 계면 응력과 고온에서 빈번한 미세 균열을 초래했습니다. 우리는 열역학 시뮬레이션을 다시 실행하고 다음으로 전환했습니다.CTE 일치 특수 고순도 흑연 기판 + 버퍼층 + CVD SiC 코팅해결책. 결과: 평균 구성 요소 수명이 200시간에서 850시간으로 증가했습니다. 도구당 연간 교체 빈도가 40회에서 9회로 감소했습니다. 포괄적인 장비 O&M 비용 절감액은 연간 RMB 650,000를 초과했습니다.

TaC 및 SiC 코팅에 대한 GDMS 순도 분석 보고서

FAQ

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