UV LED 수신기

VeTek Semiconductor는 UV LED Susceptor 전문 제조업체로, LED EPI Susceptor에 대한 다년간의 연구 개발 및 생산 경험을 보유하고 있으며 업계의 많은 고객들로부터 인정을 받고 있습니다.

LED, 즉 반도체 발광 다이오드의 발광 물리적 특성은 반도체 pn 접합에 전원이 공급된 후 전위의 구동 하에서 반도체 재료의 전자와 정공이 결합하여 광자를 생성하여 반도체 발광을 달성합니다. 따라서 에피택셜 기술은 LED의 기초이자 핵심 중 하나이며, LED의 전기적, 광학적 특성을 결정짓는 주요한 요소이기도 하다.

에피택시(EPI) 기술은 기판과 동일한 격자 배열을 가진 단결정 기판 위에 단결정 물질을 성장시키는 기술을 말합니다. 기본 원리: 적절한 온도로 가열된 기판(주로 사파이어 기판, SiC 기판, Si 기판) 위에서 기체 물질인 인듐(In), 갈륨(Ga), 알루미늄(Al), 인(P)이 표면으로 제어됩니다. 특정 단결정 필름을 성장시키기 위해 기판을 사용합니다. 현재 LED 에피택셜 시트 성장 기술은 주로 MOCVD(유기 금속 화학 기상 증착) 방식을 사용하고 있다.

LED 에피택셜 기판 재료

1. 빨간색과 노란색 LED:

GaP와 GaAs는 일반적으로 빨간색과 노란색 LED용 기판으로 사용됩니다. GaP 기판은 LPE(액상 에피택시) 방식에 사용되어 565~700nm의 넓은 파장 범위를 구현합니다. VPE(기상 에피택시) 방법의 경우 GaAsP 에피택셜 층이 성장하여 630~650nm 사이의 파장을 생성합니다. MOCVD를 사용할 때 GaAs 기판은 일반적으로 AlInGaP 에피택셜 구조의 성장과 함께 사용됩니다. 

이는 InGaP 및 AlGaInP 구조 성장을 위해 버퍼층이 필요한 격자 불일치가 발생하더라도 GaAs 기판의 광 흡수 단점을 극복하는 데 도움이 됩니다.

VeTek Semiconductor는 SiC 코팅, TaC 코팅이 적용된 LED EPI 서셉터를 제공합니다.

VEECO LED EPI 수신기 LED EPI 서셉터에 사용되는 TaC 코팅

2. 파란색과 녹색 LED:

 ● GaN 기판: GaN 단결정은 GaN 성장에 이상적인 기판으로 결정 품질, 칩 수명, 발광 효율 및 전류 밀도를 향상시킵니다. 그러나 준비가 어려워 적용이 제한됩니다.

사파이어 기판: 사파이어(Al2O3)는 GaN 성장을 위한 가장 일반적인 기판으로 화학적 안정성이 우수하고 가시광선 흡수가 없습니다. 그러나 전력 칩의 고전류 작동에서는 열전도율이 부족하다는 문제에 직면해 있습니다.

● SiC 기판: SiC는 GaN 성장에 사용되는 또 다른 기판으로 시장 점유율 2위를 차지하고 있습니다. 이는 우수한 화학적 안정성, 전기 전도성, 열 전도성 및 가시광선 흡수가 없음을 제공합니다. 그러나 사파이어에 비해 가격이 높고 품질이 낮습니다. SiC는 380nm 미만의 UV LED에는 적합하지 않습니다. SiC의 탁월한 전기 및 열 전도성 덕분에 사파이어 기판의 전력형 GaN LED에서 열 방출을 위한 플립칩 본딩이 필요하지 않습니다. 상부 및 하부 전극 구조는 파워형 GaN LED 소자의 방열에 효과적이다.

LED 에피택시 수신기 TaC 코팅이 적용된 MOCVD 서셉터

3. 깊은 UV LED EPI:

심자외선(DUV) LED 에피택시, 심자외선 LED 또는 DUV LED 에피택시에서 일반적으로 기판으로 사용되는 화학 재료에는 질화알루미늄(AlN), 탄화규소(SiC) 및 질화갈륨(GaN)이 포함됩니다. 이 소재는 우수한 열 전도성, 전기 절연성, 결정 품질을 갖추고 있어 고전력 및 고온 환경의 DUV LED 애플리케이션에 적합합니다. 기판 재료의 선택은 적용 요구 사항, 제조 공정 및 비용 고려 사항과 같은 요소에 따라 달라집니다.

SiC 코팅 심자외선 LED 서셉터 TaC 코팅 심자외선 LED 서셉터