CVD TAC 코팅 된 3-Petal Guide 링

실리콘 탄화물 단결정 기판 물질은 일종의 결정 물질이며, 이는 광선 밴드 갭 반도체 재료에 속한다. 고전압 저항, 고온 저항, 고주파, 낮은 손실 등의 장점이 있습니다. 고출력 전력 전자 장치 및 전자 레인지 무선 주파수 장치의 준비를위한 기본 재료입니다. 현재, SIC 결정을 재배하는 주요 방법은 물리 증기 수송 (PVT 방법), 고온 화학 증기 증착 (HTCVD 방법), 액체 상 방법 등입니다.

PVT (Physical Vapor Transport) 방법은 대규모 규모의 산업 생산에 매우 적합한 잘 확립 된 기술입니다. 이 과정에서, SIC 종자 결정은 도가니의 상단에 위치하며, 원료 역할을하는 SIC 분말은 도가니 바닥에 배치된다. 폐쇄 된 환경 내에서 고온 및 저압 조건 하에서 SIC 분말은 승화시킨다. 온도 구배 및 농도 차이에 의해, 승화 된 종은 종자 결정 근처의 영역을 향해 위로 이동합니다. 과포화 상태에 도달하면, 재결정 화가 발생하여, 성장 된 SIC 결정의 크기 및 특정 결정 유형을 정확하게 제어 할 수있게한다.

CVD TAC 코팅 된 3 개의 꽃잎 가이드 링은 여러 중요한 기능을 제공합니다. 주로 가스 흐름을 안내하여 유체 역학을 향상시켜 결정 성장 면적이 균일 한 대기에 노출되도록합니다. 또한, SIC 결정 성장 과정에서 효과적으로 열을 소산시킨다. 적절한 온도 구배를 유지함으로써, SIC 결정의 성장 조건을 최적화하고 고르지 않은 온도 분포로 인한 결정 결함의 위험을 완화시킨다.