단결정 용광로의 열 장의 온도 구배는 얼마입니까?

무엇입니까열 필드?

온도 필드단결정 성장열 필드라고도하는 단결정 용광로에서 온도의 공간 분포를 나타냅니다. 소환 동안, 열 시스템의 온도 분포는 비교적 안정적이며이를 정적 열 필드라고합니다. 단결정의 성장 과정에서 열전대가 변할 것이며, 이는 동적 열 필드라고합니다.

단결정이 자라면 상 (액체 상으로의 액체 상)의 연속 변형으로 인해, 고체 잠열 열은 지속적으로 방출됩니다. 동시에 결정이 길고 길어지고, 용융 수준이 끊임없이 떨어지고, 열 전도 및 방사선이 변하고 있습니다. 따라서, 열전대가 바뀌고 있으며, 이는 동적 열 필드라고합니다.

고체 액체 인터페이스는 무엇입니까?

어떤 순간에, 용광로의 어느 지점에도 특정 온도가 있습니다. 온도 필드에서 공간의 점을 동일한 온도로 연결하면 공간 표면이 발생합니다. 이 공간 표면에서 온도는 어디에서나 같으며, 이는 등온 표면이라고합니다. 단결정 용광로의 등온 표면 중에는 매우 특별한 등온 표면이 있는데, 이는 고체 상과 액체 상 사이의 계면이다. 따라서 고체-액체 인터페이스라고도합니다. 결정은 고체-액체 계면에서 자랍니다.

온도 그라디언트는 무엇입니까?

온도 구배는 열 필드의 점 A의 온도 변화 속도를 근처 점 B의 온도로 나타냅니다. 즉, 단위 거리 내의 온도 변화 속도.

언제단결정 실리콘성장하고 열 필드에는 두 가지 형태의 고체와 용융물이 있으며 두 가지 유형의 온도 그라디언트도 있습니다.

▪ 결정의 종 방향 온도 구배 및 방사형 온도 구배.

▪ 용융물의 종 방향 온도 구배 및 방사형 온도 구배.

▪ 이들은 완전히 다른 온도 분포이지만, 결정화 상태에 가장 영향을 줄 수있는 고체 액체 계면에서의 온도 구배. 결정의 방사상 온도 구배는 결정의 종 방향 및 가로 열 전도, 표면 방사선 및 열 필드에서의 새로운 위치에 의해 결정된다. 일반적으로, 중심 온도는 높고 결정의 가장자리 온도는 낮다. 용융물의 방사상 온도 구배는 주로 주변의 히터에 의해 결정되므로 중심 온도는 낮고, 도가니 근처의 온도는 높으며, 방사형 온도 구배는 항상 양수입니다.

열 필드의 합리적인 온도 분포는 다음 조건을 충족해야합니다.

▪ 크리스탈의 종 방향 온도 구배는 충분히 크지 만 너무 크지 않아서 열 소산 용량이 충분합니다.결정 성장결정화의 잠열을 제거합니다.

▪ 용융물의 종 방향 온도 구배는 비교적 크며, 용융물에 새로운 결정 핵이 생성되지 않도록합니다. 그러나 너무 커지면 탈구와 파손이 쉽습니다.

▪ 결정화 계면에서의 종 방향 온도 구배는 적절하게 크기 때문에 필요한 언더 쿨링을 형성하여 단결정이 충분한 성장 운동량을 갖습니다. 너무 크지 않아야합니다. 그렇지 않으면 구조적 결함이 발생하고 방사형 온도 구배는 최대한 작아서 결정화 인터페이스를 평평하게 만들어야합니다.

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