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이 블로그는 "고품질 결정 성장을 달성하는 방법? - Sic Crystal Growth Furnace"라는 주제로, 실리콘 카바이드 결정 성장 용광로의 기본 원리, 실리콘 카르바이드 결정 성장 용광로의 구조, 실리콘 카바이드 결정 성장 용광로의 기술적 어려움, 고성장 Sic Crystals를위한 실리콘 카르바이드 결정 성장 용광로의 기본 원리, 실리콘 카르바이드 결정 성장 용광로의 기본 원리 및 세부 분석을 수행합니다.

세계에서 가장 강력한 4 개의 흑연 제조업체 : SGL, Toyo Tanso, Tokai Carbon, Mersen 및 해당 전형적인 흑연 및 응용 영역.

이 기사는 탄소 펠트의 탁월한 물리적 특성, SIC 코팅을 선택하는 특정 이유, 탄소 펠트에 대한 SIC 코팅의 방법과 원리에 대해 설명합니다. 또한 SIC 코팅 탄소 펠트의 위상 조성을 분석하기 위해 D8 Advance X- 선 회절 계 (XRD)의 사용을 구체적으로 분석합니다.

SIC 단결정 성장을위한 주요 방법은 : 물리 증기 수송 (PVT), 고온 화학 증기 증착 (HTCVD) 및 고온 용액 성장 (HTSG)입니다.