SiC 웨이퍼용 세라믹 진공 척

나의 라이벌 sic 웨이퍼용 세라믹 진공척은 3세대 반도체 제조를 위해 특별히 개발된 핵심 부품으로, 웨이퍼가 겪는 고온, 고압 가공 환경에 최적화되어 있습니다. 고순도 세라믹 소재, 정밀 가공 및 특수 표면 처리로 까다로운 반도체 제조 공정에서 안정적인 진공 유지 성능과 뛰어난 열 안정성을 보장합니다. 당사의 진공 척은 수백 개의 반도체 제조업체에서 현장 검증을 거쳐 SiC 에피택시, 이온 주입 및 포토리소그래피와 같은 중요한 공정에서 탁월한 성능을 보여줍니다. 이는 높은 재료 경도와 높은 공정 온도로 인해 발생하는 웨이퍼 변형 및 위치 정확도 문제를 효과적으로 해결합니다.

일반 제품 정보

제품 비즈니스 용어

애플리케이션: 베텍세미콘의 웨이퍼용 세라믹 진공척은 고성능 세라믹 소재를 정밀 가공하여 초평탄한 표면과 뛰어난 열안정성을 보장합니다. 에피택셜 성장, 이온 주입, 포토리소그래피 등의 공정에 안정적인 웨이퍼 흡착 및 온도 제어 솔루션을 제공하여 공정 수율과 생산 효율성을 효과적으로 향상시킵니다.

제공할 수 있는 서비스: 고객 응용 시나리오 분석, 자료 매칭, 기술 문제 해결.

회사 프로필：Veteksemicon에는 20년의 재료 경험과 R&D, 생산, 테스트 및 검증 능력을 갖춘 전문가 팀인 2개의 실험실이 있습니다.

웨이퍼 핵심 장점을 위한 Veteksemicon 세라믹 진공 척

 ● 재료과학의 혁신

Veteksecon은 세라믹 재료의 탁월한 절연 특성을 유지하면서 제품의 기계적 강도와 열 안정성을 크게 향상시키기 위해 독특한 재료 배합 및 소결 공정을 활용합니다. 당사의 알루미나 기반 세라믹은 고순도 원료와 특수 첨가제 배합을 사용하여 고온 환경에서도 탁월한 치수 안정성을 보장합니다. 당사의 탄화규소 기반 세라믹은 최적화된 소결 공정을 통해 더 높은 열 전도성과 향상된 열 매칭을 달성하므로 특히 고온 SiC 웨이퍼 처리에 매우 적합합니다.

 ● 우수한 열 관리 성능

우리의 독특한 다층 설계와 정밀 가공은 척이 고온 작동 조건에서도 탁월한 열 균일성을 유지하도록 보장합니다. 탄화규소 척은 200W/m·K 이상의 열전도율을 자랑해 신속한 온도 밸런싱이 가능하고 웨이퍼 표면 온도 변화를 ±0.8°C 이내로 유지한다. 이 뛰어난 열 관리 기능은 온도 변화로 인한 공정 결함을 효과적으로 방지하고 제품 수율을 크게 향상시킵니다.

● 초정밀 가공기술

나의 라이벌은 독특한 연삭 및 연마 공정을 활용하여 서브미크론 표면 평탄도를 달성하는 중국 최고의 정밀 머시닝 센터를 자랑합니다. 당사의 탄화규소 척은 0.8μm 이내의 표면 평탄도를 달성하며 표면 거칠기 Ra 값은 0.1μm 이하입니다. 이러한 초정밀 표면 품질은 웨이퍼와 척 사이의 완벽한 결합을 보장하여 포토리소그래피와 같은 정밀 공정을 위한 신뢰할 수 있는 평면 기준을 제공합니다.

● 서비스 수명 향상

최적화된 소재 배합과 강화된 구조 설계를 통해 당사 제품은 기존 제품에 비해 40%가 넘는 수명을 자랑합니다. 특수 모서리 강화 및 표면 코팅 기술을 통해 당사 제품은 빈번한 클램핑 및 청소 작업을 견딜 수 있습니다. 알루미나 기반 제품은 200,000회 이상 작동이 보장되는 반면, 실리콘 카바이드 기반 제품은 500,000회 이상 작동할 수 있어 고객의 운영 비용을 크게 절감할 수 있습니다.

● 생태사슬 검증 승인

웨이퍼 생태연쇄 검증용 베텍세콘 세라믹 진공척은 원자재부터 생산까지 포괄하며, 국제표준 인증을 통과했으며, 반도체 및 신에너지 분야에서 신뢰성과 지속가능성을 확보하기 위한 다수의 특허기술을 보유하고 있다.

자세한 기술 사양, 백서 또는 샘플 테스트 준비를 원하시면기술 지원팀에 문의하세요나의 라이벌이 어떻게 프로세스 효율성을 향상시킬 수 있는지 알아보세요.