SIC 성장의 핵심 자료는 무엇입니까?

고품질 및 고수익 실리콘 카바이드 기판을 제조 할 때, 코어는 우수한 열 전계 재료에 의한 생산 온도의 정확한 제어를 요구한다. 현재, 주로 사용되는 열 필드 도가니 키트는 고급 흑연 구조 성분이며, 그의 기능은 용융 탄소 분말과 실리콘 분말을 가열하고 열을 유지하는 것입니다. 흑연 물질은 높은 특이 적 강도 및 특정 계수의 특성, 우수한 열 충격 저항성 및 부식 저항 등의 특성을 갖습니다. 그러나 고온 산소가 풍부한 환경에서의 산화 쉬운 산화, 암모니아 저항성 열악한 및 흠집과 같은 단점이 있습니다. 실리콘 탄화물 단결정의 성장과 실리콘 카바이드 에피 택셜 웨이퍼의 생산에서, 그들은 흑연 재료에 대한 점점 엄격한 사용 요구 사항을 충족시키기가 어렵고, 이는 개발 및 실제 적용을 심각하게 제한합니다. 따라서, 고온 코팅과 같은탄탈 룸 카바이드상승하기 시작했습니다.

TAC 세라믹은 높은 경도 (MOHS 경도 9-10), 상대적으로 큰 열전도율 (22W · M-1 · K-1), 상당한 굽힘 강도 (340-400 MPa) 및 비교적 작은 수의 열 팽창 (6.6 × 10-6K-1)을 특징으로하는 3880 ℃의 융점을 갖는다. 또한 우수한 열 화학적 안정성과 뛰어난 물리적 특성을 나타냅니다. TAC 코팅은 흑연 및 C/C 복합재와의 우수한 화학적 및 기계적 호환성을 갖는다. 따라서 항공 우주 열 보호, 단결정 성장, 에너지 전자 제품 및 의료 기기에 널리 사용됩니다.

TAC 코팅 흑연SIC 코팅석묵. 2600 ° C의 고온에서 안정적으로 사용할 수 있으며 많은 금속 요소와 반응하지 않습니다. 3 세대 반도체의 단결정 성장 및 웨이퍼 에칭 시나리오에서 가장 성능이 좋은 코팅이며, 그 과정에서 온도 및 불순물의 제어를 크게 향상시킬 수 있습니다. 고품질의 실리콘 카바이드 웨이퍼 및 관련 에피 택셜 웨이퍼를 준비하십시오. PVT 장비의 MOCVD 장비 및 SIC 단결정에서 GAN 또는 ALN 단일 결정을 성장시키는 데 특히 적합하며, 성장한 단결정의 품질이 상당히 개선되었습니다.