CVD SIC 코팅 웨이퍼 감수기

반도체 제조에서, 에피 택시는 칩 생산의 중요한 단계이며, 에피 택셜 장비의 주요 구성 요소로서 웨이퍼 감수기는 균일 성, 결함 속도 및 에피 택셜 층 성장의 효율에 직접 영향을 미칩니다. Veteksemicon은 고급 고성능 재료에 대한 산업의 수요 증가를 해결하기 위해 CVD SIC 코팅 웨이퍼 감수성 (≤100ppb, ICP-E10 인증) 및 풀 사이즈 호환성 (6”, 8”, 12”)을 특징으로하는 CVD SIC 코팅 웨이퍼 감수자를 소개하며,이를 중국 및 중국 및 중국의 고급 프로세스에 대한 최고의 솔루션으로 위치시킵니다.

ⅰ. 핵심 장점

1. 업계 최고의 순도

화학 기상 증착 (CVD)을 통해 증착 된 실리콘 카바이드 (SIC) 코팅은 ICP-MS (유도 결합 플라즈마 질량 분석법)에 의해 검증 된 ≤100ppb (E10 표준)의 불순물 수준을 달성합니다. 이 초고 순도는 에피 택셜 성장 중 오염 위험을 최소화하여 질화염 (GAN) 및 실리콘 카바이드 (SIC) 와이드 밴드 갭 반도체 제조와 같은 중요한 응용 분야의 우수한 결정 품질을 보장합니다.

2. 탁월한 고온 저항성 및 화학적 내구성

CVD SIC 코팅은 뛰어난 물리적 및 화학적 안정성을 제공합니다.

고온 지구력 : 박리 또는 변형없이 최대 1600 ° C의 안정적인 작동;

부식 저항 : 공격적인 에피 택셜 공정 가스 (예 : HCL, H₂), 서비스 수명을 연장하는 것;

낮은 열 응력 : SIC 웨이퍼의 열 팽창 계수와 일치하여 warpage 위험이 줄어 듭니다.

3. 주류 생산 라인의 전체 크기 호환성

6 인치, 8 인치 및 12 인치 구성으로 제공되는 감수자는 3 세대 반도체, 전력 장치 및 RF 칩을 포함한 다양한 응용 프로그램을 지원합니다. 정밀 엔지니어링 표면은 AMTA 및 기타 주류 에피 택셜 리액터와의 원활한 통합을 보장하여 빠른 생산 라인 업그레이드를 가능하게합니다.

4. 현지 생산 혁신

독점적 인 CVD 및 사후 처리 기술을 활용하여 고급 SIC 코팅 감수자에 대한 해외 독점을 깨뜨려 국내 및 글로벌 고객에게 비용 효율적이고 빠른 전달 및 로컬로 지원되는 대안을 제공합니다.

ⅱ. 기술적 우수성

● 정밀 CVD 프로세스: 최적화 된 증착 파라미터 (온도, 가스 흐름) 균일 한 두께 (편차 ≤3%)를 갖는 조밀 한 기공이없는 코팅을 보장하여 입자 오염을 제거합니다.

● 클린 룸 제조: 기판 준비에서 코팅에 이르기까지 전체 생산 공정은 클래스 100 클리닝 룸에서 수행되어 반도체 등급 청결 표준을 충족합니다.

● 사용자 정의: 맞춤형 코팅 두께, 표면 거칠기 (RA ≤0.5μm) 및 장비 시운전을 가속화하기위한 사전 코팅 된 노화 처리.

ⅲ. 응용 프로그램 및 고객 혜택

● 3 세대 반도체 에피 택시: SIC 및 GAN의 MOCVD/MBE 성장에 이상적, 장치 고장 전압 향상 및 스위칭 효율;

● 실리콘 기반 에피 택시: 고전압 IGBT, 센서 및 기타 실리콘 장치의 층 균일 성을 향상시킵니다.

● 전달 된 가치:

에피 택셜 결함을 줄이고 칩 수율 향상;

유지 보수 빈도 및 총 소유 비용을 낮 춥니 다.

반도체 장비 및 재료의 공급망 독립성을 가속화합니다.

중국의 고급 CVD SIC 코팅 웨이퍼 감수자의 선구자로서, 우리는 최첨단 기술을 통해 반도체 제조를 발전시키기 위해 노력하고 있습니다. 당사의 솔루션은 새로운 생산 라인과 레거시 장비 개조에 대한 신뢰할 수있는 성능을 보장하여 비교할 수없는 품질과 효율성으로 에피 택셜 프로세스를 강화합니다.

CVD SIC 코팅의 기본 물리적 특성