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실리콘 카바이드 에피 택시 웨이퍼 캐리어
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실리콘 카바이드 에피 택시 웨이퍼 캐리어

Vetek Semiconductor는 중국의 주요 정의 실리콘 카바이드 에피 택시 웨이퍼 운송 업체 공급 업체이며 20 년 이상 고급 재료를 전문으로 해왔으며, SIC 에피 탁시 층을 운반하기 위해 실리콘 카바이드 에피 택시 웨이퍼 캐리어를 제공하여 SIC 에피 톡스 반응기에서 성장합니다. 이 실리콘 카바이드 에피 택시 웨이퍼 캐리어는 반달 부분, 고온 저항, 산화성, 내마모성의 중요한 SIC 코팅 된 부분입니다. 우리는 중국의 공장을 방문하여 언제든지 상담하십시오.

전문 제조업체로서, 우리는 당신에게 고품질의 실리콘 카바이드 에피 택시 웨이퍼 캐리어를 제공하고자합니다. Vetek 반도체 실리콘 카바이드 에피 택시 웨이퍼 캐리어는 SIC 에피 택셜 챔버를 위해 특별히 설계되었습니다. 그들은 광범위한 응용 프로그램을 가지고 있으며 다양한 장비 모델과 호환됩니다.

응용 프로그램 시나리오 :

소유하다K 반도체 실리콘 탄화물 에피 택시 웨이퍼 캐리어는 주로 SIC 에피 택셜 층의 성장 공정에 사용된다. 이 액세서리는 SIC 에피 택시 반응기 내부에 배치되어 SIC 기판과 직접 접촉합니다. 에피 택셜 층의 임계 매개 변수는 두께 및 도핑 농도 균일 성입니다. 따라서 필름 두께, 캐리어 농도, 균일 성 및 표면 거칠기와 같은 데이터를 관찰하여 액세서리의 성능과 호환성을 평가합니다.

용법:

장비와 공정에 따라, 당사의 제품은 6 인치 반 달 구성에서 5000 um 이상의 에피 택셜 층 두께를 달성 할 수 있습니다. 이 값은 참조로 사용되며 실제 결과는 다를 수 있습니다.

호환 장비 모델 :

Vetek 반도체 실리콘 카바이드 코팅 흑연 부품은 LPE, Naura, JSG, CETC, NASO Tech 등을 포함한 다양한 장비 모델과 호환됩니다.


기본 물리적 특성CVD SIC 코팅:

CVD SIC 코팅의 기본 물리적 특성
재산 전형적인 가치
결정 구조 FCC β 상 다결정, 주로 (111) 배향
CVD SIC 코팅 밀도 3.21 g/cm³
SIC 코팅 하도 2500 Vickers 경도 (500g 부하)
곡물 크기 2 ~ 10mm
화학적 순도 99.99995%
열용량 640 J · Kg-1·케이-1
승화 온도 2700 ℃
굽힘 강도 415 MPa RT 4 점
영률 430 gpa 4pt end, 1300 ℃
열전도율 300W · m-1·케이-1
열 팽창 (CTE) 4.5 × 10-6K-1


반도체 생산 상점 비교 :

VeTek Semiconductor Production Shop

반도체 칩 에피 택시 산업 체인의 개요 :

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain

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