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LPE Reactor용 8인치 하프문 부품
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LPE Reactor용 8인치 하프문 부품

Vetek Semiconductor는 중국의 주요 반도체 장비 제조업체로서 LPE 원자로의 R & D 및 8 인치 반달 부분 생산에 중점을 둡니다. 우리는 수년에 걸쳐, 특히 SIC 코팅 재료에서 풍부한 경험을 축적했으며, LPE 에피 택셜 반응기에 맞게 효율적인 솔루션을 제공하기 위해 노력하고 있습니다. LPE 반응기의 8 인치 반달 부분은 탁월한 성능과 호환성을 가지고 있으며, 에피 택셜 제조에 없어서는 안될 핵심 구성 요소입니다. 우리의 제품에 대해 자세히 알아 보려면 문의를 환영합니다.


전문 제조업체로서 Vetek Semiconductor는 LPE 원자로에 고품질 8 인치 하프문 부품을 제공하고자합니다.

LPE 반응기의 Vetek 반도체 8 인치 하프문 부분은 반도체 제조 공정, 특히 SIC 에피 택셜 장비에 사용되는 필수 구성 요소입니다. Vetek Semiconductor는 LPE 반응기를 위해 8 인치 반달 부분을 생산하기 위해 특허 기술을 사용하여 탁월한 순도, 균일 한 코팅 및 뛰어난 수명을 보장합니다. 또한, 이들 부품은 현저한 화학적 저항성 및 열 안정성 특성을 나타낸다.

LPE 반응기용 8인치 반달형 부품 본체는 고순도 흑연으로 제작되어 열전도율과 기계적 안정성이 우수합니다. 불순물 함량이 낮은 고순도 흑연을 선택하여 에피택셜 성장 과정에서 오염을 최소화합니다. 견고성 덕분에 LPE 원자로 내의 까다로운 조건을 견딜 수 있습니다.

Vetek 반도체 SIC 코팅 흑연 하프문 부품은 세부 사항에 대한 최대한의 정밀도와주의로 제조됩니다. 사용 된 재료의 고순도는 반도체 제조에서 우수한 성능과 신뢰성을 보장합니다. 이 부품의 균일 한 코팅은 서비스 수명 동안 일관되고 효율적인 작동을 보장합니다.

SiC 코팅 흑연 하프문 부품의 주요 장점 중 하나는 탁월한 내화학성입니다. 이 제품은 반도체 제조 환경의 부식성을 견딜 수 있어 오래 지속되는 내구성을 보장하고 빈번한 교체 필요성을 최소화합니다. 또한 뛰어난 열 안정성 덕분에 고온 조건에서도 구조적 무결성과 기능성을 유지할 수 있습니다.

우리의 SIC 코팅 흑연 절반 상반부는 SIC 에피 택셜 장비의 엄격한 요구 사항을 충족하도록 세 심하게 설계되었습니다. 신뢰할 수있는 성능으로, 이들 부분은 에피 택셜 성장 공정의 성공에 기여하여 고품질 SIC 필름의 증착을 가능하게합니다.


CVD SIC 코팅 필름 결정 구조:


CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE



CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성:

CVD SIC 코팅의 기본 물리적 특성
재산 일반적인 값
결정 구조 FCC β 상 다결정, 주로 (111) 배향
밀도 3.21g/cm³
경도 비커스 경도 2500(500g 하중)
입자 크기 2 ~ 10mm
화학적 순도 99.99995%
열용량 640 J · Kg-1·케이-1
승화 온도 2700℃
굽힘 강도 415MPa RT 4점
영률 430 gpa 4pt end, 1300 ℃
열전도율 300W · m-1·케이-1
열팽창(CTE) 4.5 × 10-6K-1


반도체 생산 상점 비교 :

VeTek Semiconductor Production Shop


반도체 칩 에피 택시 산업 체인의 개요 :

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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