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G5에 대한 Gan 에피 택셜 흑연 지원
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G5에 대한 Gan 에피 택셜 흑연 지원

VeTek Semiconductor는 G5용 고품질 GaN 에피택셜 흑연 서셉터를 제공하는 데 전념하는 전문 제조업체 및 공급업체입니다. 국내외 수많은 유명 기업들과 장기적이고 안정적인 파트너십을 구축하여 고객의 신뢰와 존경을 받고 있습니다.

Vetek Semiconductor는 G5 제조업체 및 공급 업체의 전문 중국 간 에피 택셜 흑연 감수자입니다. G5에 대한 Gan Epitaxial Graphite 감수자는 고품질 질화염 (GAN) 박막의 성장을위한 Aixtron G5 금속 유기 화학 증기 증착 (MOCVD) 시스템에 사용되는 중요한 성분입니다. 균일 한 온도를 보장하는 데 중요한 역할을합니다. 성장 과정에서 분포, 효율적인 열전달 및 최소 오염.


G5에 대한 Vetek 반도체 Gan 에피 택셜 흑연 감수자의 주요 특징 :

-High 순도 : 감수자는 CVD 코팅을 갖춘 매우 순수한 흑연으로 만들어져 성장하는 GAN 필름의 오염을 최소화합니다.

-Excellent 열전도율 : 흑연의 높은 열전도율 (150-300 w/(m · k))는 감수체 전체에 걸쳐 균일 한 온도 분포를 보장하여 일관된 GAN 필름 성장을 초래합니다.

-열 팽창 : 감수자의 낮은 열 팽창 계수는 고온 성장 공정 동안 열 응력 및 균열을 최소화합니다.

-화학적 불활성 : 흑연은 화학적으로 불활성이며 GAN 전구체와 반응하지 않으므로 성장한 필름에서 원치 않는 불순물을 방지합니다.

-Aixtron G5와의 호환성: 서셉터는 Aixtron G5 MOCVD 시스템에 사용하도록 특별히 설계되어 적절한 적합성과 기능을 보장합니다.


응용 프로그램 :

고려 LED : GAN 기반 LED는 고효율과 긴 수명을 제공하므로 일반적인 조명, 자동차 조명 및 디스플레이 응용 프로그램에 이상적입니다.

고전력 트랜지스터: GaN 트랜지스터는 전력 밀도, 효율 및 스위칭 속도 측면에서 탁월한 성능을 제공하므로 전력 전자 애플리케이션에 적합합니다.

레이저 다이오드: GaN 기반 레이저 다이오드는 고효율과 단파장을 제공하므로 광 저장 및 통신 애플리케이션에 이상적입니다.


G5용 GaN 에피택셜 흑연 서셉터의 제품 매개변수

등방성 흑연의 물리적 특성
재산 단위 일반적인 값
벌크 밀도 g/cm3 1.83
경도 HSD 58
전기 저항력 μΩ.m 10
굽힘 강도 MPA 47
압축강도 MPA 103
인장강도 MPA 31
영률 GPA 11.8
열팽창(CTE) 10-6K-1 4.6
열전도율 W · m-1·케이-1 130
평균 입자 크기 μm 8-10
다공성 % 10
재 함량 ppm ≤10 (정제 후)

참고 : 코팅 전에 코팅 후 첫 번째 정제를 수행하면 두 번째 정제가됩니다.


CVD SIC 코팅의 기본 물리적 특성
재산 일반적인 값
결정 구조 FCC β 상 다결정, 주로 (111) 배향
밀도 3.21g/cm3
경도 2500 Vickers 경도 (500g 부하)
곡물 크기 2 ~ 10mm
화학적 순도 99.99995%
열용량 640J·kg-1·케이-1
승화 온도 2700℃
굽힘 강도 415MPa RT 4점
영률 430 gpa 4pt end, 1300 ℃
열전도율 300W · m-1·케이-1
열팽창(CTE) 4.5 × 10-6K-1


반도체 생산 상점 비교 :

VeTek Semiconductor Production Shop


핫 태그: G5용 GaN 에피택시 흑연 수용체
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