SiC 코팅 반달 흑연 부품

SIC 에피 택셜 성장 용광로의 반응 챔버에서, SIC 코팅 하프문 흑연 부품은 가스 유량 분포, 열 전장 제어 및 반응 분위기 균일 성을 최적화하기위한 핵심 성분이다. 그들은 일반적으로 SIC 코팅으로 만들어집니다석묵, 반달 모양으로 설계되었으며, 반응 챔버의 상부 및 하부 흑연 부분에 위치하고, 기판 영역을 둘러싸고있다.

    •상단 반달 흑연 부분: 반응실 상부, 가스 주입구 근처에 설치되어 반응 가스가 기판 표면을 향해 흐르도록 유도하는 역할을 합니다.

    •하부 반문 흑연 부분: 반응 챔버의 바닥, 일반적으로 기판 홀더 아래에 위치하며 가스 흐름 방향을 제어하고 기판 하단에서 열 필드 및 가스 분포를 최적화하는 데 사용됩니다.

동안SiC 에피택시 공정상부 반달 흑연 부분은 가스 흐름이 기판에 고르게 분포되도록 안내하여 가스가 기판 표면에 직접 영향을 미치고 국부적인 과열이나 기류 난류를 일으키는 것을 방지합니다. 하부 반달형 흑연 부분은 가스가 기판을 통해 원활하게 흐른 후 배출되도록 하는 동시에 난류가 에피택셜 층의 성장 균일성에 영향을 미치는 것을 방지합니다.

열 전장 조절 측면에서, SIC 코팅 하프문 흑연 부품은 모양과 위치를 통해 반응 챔버의 열을 균등하게 분배하는 데 도움이된다. 상단 반문 흑연 부분은 히터의 복사 열을 효과적으로 반사하여 기판 위의 온도가 안정되도록 할 수 있습니다. 하부 반달 흑연 부분은 또한 비슷한 역할을하므로 과도한 온도 차이를 방지하기 위해 열 전도를 통해 기질 아래의 열을 균등하게 분배하는 데 도움이됩니다.

SIC 코팅은 성분을 고온과 열 전도성에 저항력있게 만들므로 Vetek 반도체의 반달 부분은 서비스 수명이 길다. 신중하게 설계된 SIC 에피 택시를위한 반달 흑연 부품은 많은 에피 택셜 반응기에 원활하게 통합되어 반도체 제조 공정의 전반적인 효율과 신뢰성을 향상시킬 수 있습니다. SIC 코팅 하프문 흑연 부품에 필요한 것이 무엇이든 Vetek Semiconductor에 문의하십시오.

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