LPE PE2061S에 대한 SIC 코팅 지원

Vetek 반도체 SIC COATED 실리콘 에피 택시 장비에서 LPE PE2061S에 대한 지원은 에피 택셜 성장 공정 동안 에피 택셜 웨이퍼 (또는 기판)를지지하고 유지하기 위해 배럴 유형 감수자와 함께 사용됩니다.

하단 플레이트는 주로 배럴 에피 택셜 퍼니스와 함께 사용되며, 배럴 에피 택셜 퍼니스는 평평한 에피 택셜 감수기보다 더 큰 반응 챔버와 더 높은 생산 효율을 갖는다. 지지대에는 원형 구멍 설계가 있으며 주로 원자로 내부의 배기구 배출구에 사용됩니다.

LPE PE2061S는 고온 제조 및 고급 재료 가공을 위해 설계된 실리콘 카바이드 (SIC) 코팅 흑연지지베이스이며, 고온, 고 정밀 공정 환경 (예 : 액체 상 스트리핑 기술 LPE, 금속-조직 화학 기발 MoCVD 등)에 적합합니다. 핵심 설계는 고급 흑연 기판의 이중 이점을 조밀 한 SIC 코팅과 결합하여 극한 조건에서 안정성, 부식 저항 및 열 균일 성을 보장합니다.

핵심 특성

● 고온 저항 :

SIC 코팅은 1200 ° C 이상의 고온을 견딜 수 있으며, 열 팽창 계수는 온도 변동으로 인한 응력 균열을 피하기 위해 흑연 기판과 크게 일치합니다.

●  우수한 열 균일 성 :

화학 증기 증착 (CVD) 기술에 의해 형성된 조밀 한 SIC 코팅은베이스 표면의 균일 한 열 분포를 보장하고 에피 택셜 필름의 균일 성과 순도를 향상시킵니다.

●  산화 및 부식성 :

SIC 코팅은 흑연 기판을 완전히 덮고, 산소 및 부식성 가스 (예 : NH주, H주 등)를 차단하여베이스의 수명을 크게 연장시킨다.

●  높은 기계적 강도 :

코팅은 흑연 매트릭스와 함께 높은 결합 강도를 가지며, 다중 고온 및 저온주기를 견딜 수있어 열 충격으로 인한 손상의 위험을 줄일 수 있습니다.

●  매우 높은 순도 :

오염 웨이퍼 또는 에피 택셜 재료를 피하기 위해 반도체 프로세스 (금속 불순물 함량 ≤ 1ppm)의 엄격한 불순물 함량 요구 사항을 충족하십시오.

기술 프로세스

●  코팅 준비: 화학 증기 증착 (CVD) 또는 고온 임베딩 방법에 의해, 높은 결합 강도 및 화학적 안정성을 갖는 흑연의 표면에 균일하고 밀도가 높은 β-SIC (3C-SIC) 코팅이 형성된다.

●  정밀 가공:베이스는 CNC 공작 기계에 의해 미세하게 가공되며 표면 거칠기는 0.4μm 미만이며, 이는 고정밀 웨이퍼 베어링 요구 사항에 적합합니다.

응용 프로그램 필드

●  MOCVD 장비: GAN, SIC 및 기타 화합물 반도체 에피 택셜 성장,지지 및 균일 한 가열 기판.

●  실리콘/SIC 에피 택시: 실리콘 또는 SIC 반도체 제조에서 에피 택시 층의 고품질 증착을 보장합니다.

●  액상 스트리핑 (LPE) 공정: 초음파 보조 재료 스트리핑 기술을 조정하여 그래 핀 및 전이 금속 칼 코게 나이드와 같은 2 차원 재료에 대한 안정적인지지 플랫폼을 제공합니다.

경쟁 우위

●  국제 표준 품질: 성능 벤치마킹 Toyotanso, Sglcarbon 및 기타 국제 주요 제조업체는 주류 반도체 장비에 적합합니다.

●  맞춤형 서비스: 다른 공동의 설계 요구를 충족시키기 위해 디스크 모양, 배럴 모양 및 기타 기본 모양 사용자 정의를 지원합니다.

●  현지화 이점: 공급주기를 단축하고, 빠른 기술 대응을 제공하며, 공급망 위험을 줄입니다.

품질 보증

●  엄격한 테스트: 코팅의 밀도, 두께 (전형적인 값 100 ± 20μm) 및 조성 순도는 SEM, XRD 및 기타 분석 수단에 의해 검증되었다.

●  신뢰성 테스트: 고온주기 (1000 ° C → 실내 온도, ≥100 회)의 실제 공정 환경을 시뮬레이션하여 장기 안정성을 보장하기 위해 부식 저항 테스트를 시뮬레이션합니다.

●  해당 산업: 반도체 제조, LED 에피 택시, RF 장치 생산 등

CVD SIC 필름의 SEM 데이터 및 구조 ：