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LPE PE2061S용 SiC 코팅 상판
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LPE PE2061S용 SiC 코팅 상판

VeTek Semiconductor는 수년간 SiC 코팅 제품에 깊이 관여해 왔으며 중국에서 LPE PE2061S용 SiC 코팅 상판의 선도적인 제조업체 및 공급업체가 되었습니다. 우리가 제공하는 LPE PE2061S용 SiC 코팅 상단 플레이트는 LPE 실리콘 에피택셜 반응기용으로 설계되었으며 배럴 베이스와 함께 상단에 위치합니다. LPE PE2061S용 SiC 코팅 탑 플레이트는 고순도, 우수한 열 안정성, 균일성 등의 우수한 특성을 갖고 있어 고품질 에피층 성장에 도움이 됩니다. 귀하가 필요로 하는 제품이 무엇이든, 우리는 귀하의 문의를 기다리겠습니다.

VeTek Semiconductor는 LPE PE2061S용 전문 중국 SiC 코팅 상판 제조업체 및 공급업체입니다.

실리콘 에피택셜 장비의 LPE PE2061S용 VeTeK Semiconductor SiC 코팅 상단 플레이트는 에피택셜 성장 공정 중에 에피택셜 웨이퍼(또는 기판)를 지지하고 고정하기 위해 배럴형 본체 서셉터와 함께 사용됩니다.

LPE PE2061S용 SiC 코팅 상단 플레이트는 일반적으로 고온에 안정적인 흑연 소재로 만들어집니다. VeTek Semiconductor는 가장 적합한 흑연 재료를 선택할 때 열팽창 계수와 같은 요소를 신중하게 고려하여 탄화 규소 코팅과의 강력한 결합을 보장합니다.

LPE PE2061S용 SiC 코팅 상단 플레이트는 우수한 열 안정성과 내화학성을 나타내어 에피택시 성장 중 고온 및 부식성 환경을 견딜 수 있습니다. 이는 웨이퍼의 장기적인 안정성, 신뢰성 및 보호를 보장합니다.

실리콘 에피텍셜 장비에서 전체 CVD SiC 코팅 반응기의 주요 기능은 웨이퍼를 지지하고 에피택셜 층 성장을 위한 균일한 기판 표면을 제공하는 것입니다. 또한 웨이퍼의 위치와 방향을 조정할 수 있어 성장 프로세스 중 온도 및 유체 역학에 대한 제어가 용이해 원하는 성장 조건과 에피택셜 레이어 특성을 달성할 수 있습니다.

VeTek Semiconductor의 제품은 높은 정밀도와 균일한 코팅 두께를 제공합니다. 완충층을 내장하면 제품 수명도 연장됩니다. 실리콘 에피택셜 장비에서는 에피택셜 성장 공정 중에 에피택셜 웨이퍼(또는 기판)를 지지하고 고정하기 위해 배럴형 본체 서셉터와 함께 사용됩니다.


CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE


CVD SIC 코팅의 기본 물리적 특성 :

CVD SIC 코팅의 기본 물리적 특성
재산 일반적인 값
결정 구조 FCC β 상 다결정, 주로 (111) 배향
밀도 3.21g/cm³
경도 2500 Vickers 경도 (500g 부하)
곡물 크기 2~10μm
화학적 순도 99.99995%
열용량 640 J · Kg-1·케이-1
승화 온도 2700 ℃
굴곡강도 415MPa RT 4점
영률 430 Gpa 4pt 벤드, 1300℃
열전도율 300W · m-1·케이-1
열팽창(CTE) 4.5 × 10-6K-1


딜러 반도체

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반도체 칩 에피 택시 산업 체인의 개요 :

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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