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SIC 코팅 커버 세그먼트
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SIC 코팅 커버 세그먼트

Vtech 반도체는 Aixtron 반응기를위한 CVD SIC 코팅 부품의 개발 및 상용화에 전념하고 있습니다. 예를 들어, 우리의 SIC 코팅 커버 세그먼트는 우수한 내식성, 화학적 안정성으로 조밀 한 CVD SIC 코팅을 생성하기 위해 신중하게 가공되었으며, 우리와 함께 응용 프로그램 시나리오에 대해 논의 할 수 있습니다.

공장에서 SIC 코팅 커버 세그먼트를 구입하도록 안심할 수 있습니다. Micro LEDS 기술은 기존 LED 생태계를 LCD 또는 반도체 산업에서만 볼 수있는 방법과 접근법으로 방해하고 있습니다. Aixtron G5 MoCVD 시스템은 이러한 엄격한 확장 요구 사항을 완벽하게 지원합니다. 주로 설계된 강력한 MoCVD 반응기입니다실리콘 기반 간 에피 택시 성장.


Aixtron G5주로 CVD SIC 코팅 행성 디스크, MOCVD 감수자, SIC 코팅 커버 세그먼트, SIC 코팅 커버 링, SIC 코팅 천장, SIC 코팅 링, SIC 코팅 커버 디스크, SIC 코팅 배기 콜렉터 등과 같은 구성 요소로 구성된 수평 행성 디스크 에피 택시 시스템입니다.


CVD SIC 코팅 제조업체 인 Vetek Semiconductor는 Aixtron G5 SIC 코팅 커버 세그먼트를 제공합니다. 이 감수자는 고순도 흑연으로 만들어지며CVD SIC 코팅불순물이 5ppm 미만.


CVD SIC 코팅 커버 세그먼트 제품은 우수한 내식성, 우수한 열전도율 및 고온 안정성을 나타냅니다. 이 제품들은 화학 부식과 산화를 효과적으로 저항하여 거친 환경에서 내구성과 안정성을 보장합니다. 뛰어난 열전도율은 효율적인 열 전달을 가능하게하여 열 관리 효율을 향상시킵니다. 


고온 안정성과 열 충격에 대한 저항성으로 CVD SIC 코팅은 극한의 조건을 견딜 수 있습니다. 흑연 기질 용해 및 산화를 방지하여 오염을 줄이고 생산 효율 및 제품 품질을 향상시킵니다. 평평한 균일 한 코팅 표면은 필름 성장을위한 견고한 기초를 제공하여 격자 불일치로 인한 결함을 최소화하고 필름 결정 성 및 품질을 향상시킵니다. 요약하면, CVD SIC 코팅 흑연 제품은 다양한 산업 응용 분야를위한 신뢰할 수있는 재료 솔루션을 제공하여 탁월한 부식 저항, 열전도율 및 고온 안정성을 결합합니다.


CVD SIC 필름의 SEM 데이터

SEM DATA OF CVD SIC FILM

CVD SIC 코팅의 기본 물리적 특성 :

CVD SIC 코팅의 기본 물리적 특성
재산 전형적인 가치
결정 구조 FCC β 상 다결정, 주로 (111) 배향
SIC 코팅 밀도 3.21 g/cm³
CVD SIC 코팅 경도 2500 Vickers 경도 (500g 부하)
곡물 크기 2 ~ 10mm
화학적 순도 99.99995%
열용량 640 J · Kg-1·케이-1
승화 온도 2700 ℃
굽힘 강도 415 MPa RT 4 점
영률 430 gpa 4pt end, 1300 ℃
열전도율 300W · m-1·케이-1
열 팽창 (CTE) 4.5 × 10-6 ·K-1

반도체SIC 코팅 커버 세그먼트 제품 상점 :

SiC Coated Wafer CarrierAixtron equipmentCVD SiC Focus RingSemiconductor process Equipment

반도체의 개요 칩 에피 택시 산업 체인:

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy

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