MOCVD 용 SIC 코팅 위성 커버

Veteksemcon은 중국의 주요 SIC 코팅 MOCVD 위성 커버 제조업체로서 반도체 산업에 고성능 에피 택셜 프로세스 솔루션을 제공하기 위해 노력하고 있습니다. 당사의 MOCVD SIC 코팅 커버는 성장 환경을 최적화하고 에피 택셜 품질을 향상시키기 위해 웨이퍼 또는 샘플을 지원하고 덮기 위해 위성 감수자 시스템 (SSS)에서 신중하게 설계되었으며 일반적으로 사용됩니다.

주요 재료 및 구조

● 기판: SIC 코팅 커버는 일반적으로 우수한 기계적 강도와 가벼운 무게를 제공하기 위해 등방성 흑연과 같은 고순도 흑연 또는 세라믹 기판으로 만들어집니다.

●  표면 코팅: 고온, 부식 및 입자 오염에 대한 내성을 향상시키기 위해 화학 증기 증착 (CVD) 공정을 사용하여 코팅 된 고순도 실리콘 카바이드 (SIC) 재료.

●  형태: 일반적으로 디스크 모양 또는 MOCVD 장비의 다양한 모델 (예 : Veeco, Aixtron)을 수용 할 수있는 특수 구조 설계.

MOCVD 프로세스에서 사용 및 주요 역할 :

MoCVD에 대한 SIC 코팅 위성 커버는 주로 MOCVD 에피 택셜 성장 반응 챔버에 사용되며 그 기능은 다음과 같습니다.

(1) 웨이퍼 보호 및 온도 분포 최적화

MoCVD 장비의 주요 열 차폐 성분으로서, 웨이퍼의 둘레를 커버하여 불균일 한 가열을 줄이고 성장 온도의 균일 성을 향상시킵니다.

형질: 실리콘 카바이드 코팅은 고온 안정성이 우수하고 열전도율이 우수합니다 (300w.m^-1-케이^-1), 이는 에피 택셜 층 두께 및 도핑 균일 성을 향상시키는 데 도움이됩니다.

(2) 입자 오염을 방지하고 에피 택셜 층 품질을 향상시킵니다

SIC 코팅의 조밀하고 부식 내성 표면은 MOCVD 공정 동안 기판과 반응하는 소스 가스 (예 : TMGA, TMAL, NH주)가 입자 오염을 감소시키는 것을 방지합니다.

형질: 낮은 흡착 특성은 증착 잔류 물을 감소시키고, GAN, SIC 에피 택셜 웨이퍼의 수율을 향상시킨다.

(3) 고온 저항, 부식 저항, 장비의 서비스 수명 연장

고온 (> 1000 ° C) 및 부식성 가스 (예 : NH₃, HAL)가 MOCVD 공정에 사용됩니다. SIC 코팅은 화학적 침식에 저항하고 장비 유지 보수 비용을 줄이는 데 효과적입니다.

형질: 열 팽창 계수가 낮기 때문에 (4.5 × 10^-6K^-1), SIC는 차원 안정성을 유지하고 열 사이클링 환경에서 왜곡을 피합니다.

CVD 코팅 필름 크리스탈 구조 ：

CVD SIC 코팅의 기본 물리적 특성

MoCVD Products Shop 용 Veteksemicon의 SIC 코팅 위성 커버 :