MoCVD 에피 택셜 웨이퍼가 제공합니다

MoCVD 에피 택셜 웨이퍼 감수자는 MOCVD (금속 유기 화학 증기 증착) 장비를 위해 설계된 고성능 에피 택셜 웨이퍼 감수자입니다. 감수체는 SGL 흑연 물질로 만들어지고 실리콘 카바이드 코팅으로 코팅되며, 흑연의 높은 열 전도도와 SIC의 고온 및 부식 저항성을 결합하고 반도체의 에피축 성장 동안 고온, 고압 및 부식성 가스의 가혹한 작업 환경에 적합합니다.

SGL 흑연 물질은 우수한 열전도율을 가지며, 이는 성장 공정 동안 에피 택셜 웨이퍼의 온도가 균등하게 분포되고 에피 택셜 층의 품질을 향상시킨다. 코팅 된 SIC 코팅은 감수체가 1600 ℃ 이상의 고온을 견딜 수있게하고 MOCVD 공정에서 극한 열 환경에 적응할 수있게한다. 또한, SIC 코팅은 고온 반응 가스 및 화학 부식에 효과적으로 저항하고 감수자의 서비스 수명을 연장하며 오염을 줄일 수 있습니다.

Veteksemi의 MoCVD 에피 택셜 웨이퍼 감수자는 Aixtron과 같은 MoCVD 장비 공급 업체의 액세서리를 대체 할 수 있습니다.

● 크기: 고객 요구에 따라 사용자 정의 할 수 있습니다 (표준 크기 사용 가능).

● 운반 용량: 한 번에 여러 또는 50 이상의 에피 택셜 웨이퍼를 운반 할 수 있습니다 (감수자 크기에 따라 다름).

● 표면 처리: SIC 코팅, 부식성, 산화 저항.

● 반도체 산업: LED, 레이저 다이오드 및 전력 반도체와 같은 에피 택셜 웨이퍼의 성장에 사용됩니다.

● 광전자 산업: 고품질 광전자 장치의 에피 택셜 성장을 지원합니다.

● 고급 재료 연구 및 개발: 새로운 반도체 및 광전자 재료의 에피 택셜 제조에 적용.

고객의 MOCVD 장비 유형 및 생산 요구에 따라 Vetek Semiconductor는 감수자 크기, 재료, 표면 처리 등을 포함한 맞춤형 서비스를 제공하여 가장 적합한 솔루션이 고객에게 제공되도록합니다.

CVD SIC 필름 결정 구조

CVD SIC 코팅의 기본 물리적 특성

반도체 MoCVD 에피 택셜 웨이퍼 감수자 상점