탄탈륨 카바이드 코팅 가이드 링

3세대 반도체 탄화규소(SiC) 결정 성장에는 고온(2000~2200°C)이 필요하며 Si, C, SiC 증기 구성 요소가 포함된 복잡한 분위기의 작은 챔버에서 발생합니다. 고온의 흑연 휘발성 물질과 미립자는 결정 품질에 영향을 미쳐 탄소 함유물과 같은 결함을 유발할 수 있습니다. SiC 코팅이 적용된 흑연 도가니는 에피택시 성장에서 흔히 사용되지만 약 1600°C에서 실리콘 카바이드 동종에피택시의 경우 SiC는 상 전이를 겪어 흑연보다 보호 특성을 잃을 수 있습니다. 이러한 문제를 완화하려면 탄탈륨 카바이드 코팅이 효과적입니다. 높은 융점(3880°C)을 지닌 탄탈륨 카바이드는 3000°C 이상에서 우수한 기계적 특성을 유지하는 유일한 소재로 우수한 고온 내화학성, 내침식 산화 저항성 및 우수한 고온 기계적 특성을 제공합니다.

SiC 결정 성장 공정에서 SiC 단결정의 주요 제조 방법은 PVT 방법입니다. 저압 및 고온 조건에서 더 큰 입자 크기(>200μm)를 갖는 탄화규소 분말은 다양한 기상 물질로 분해 및 승화되며, 이는 온도 구배에 따라 더 낮은 온도의 종자 결정으로 이송되어 반응 및 침전됩니다. 탄화규소 단결정으로 재결정화됩니다. 이 공정에서 탄탈륨 카바이드 코팅 가이드 링은 소스 영역과 성장 영역 사이의 가스 흐름이 안정적이고 균일하도록 보장하여 결정 성장 품질을 향상시키고 고르지 않은 공기 흐름의 영향을 줄이는 데 중요한 역할을 합니다.

PVT 방법 SIC 단결정 성장에서 탄탈 룸 카바이드 코팅 가이드 링의 역할

●  기류 안내 및 분배

TAC 코팅 가이드 링의 주요 기능은 소스 가스의 흐름을 제어하고 가스 흐름이 성장 영역 전체에 균등하게 분포되도록하는 것입니다. 공기 흐름의 경로를 최적화함으로써, 가스가 성장 영역에 더 균등하게 퇴적되도록 도울 수 있으므로, SIC 단결정의 균일 한 성장과 고르지 않은 공기 흐름으로 인한 결함 감소를 보장 할 수 있습니다. 가스 흐름의 균일은 중요한 요소입니다. 결정 품질.

●  온도 변화도 제어

SIC 단결정의 성장 과정에서 온도 구배는 매우 중요합니다. TAC 코팅 가이드 링은 소스 영역 및 성장 영역의 가스 흐름을 조절하여 온도 분포에 간접적으로 영향을 미칩니다. 안정적인 공기 흐름은 온도 필드의 균일 성을 돕고 결정의 품질을 향상시킵니다.

●  가스 전달 효율 향상

SIC 단결정 성장은 소스 재료의 증발 및 증착을 정확하게 제어해야하기 때문에 TAC 코팅 가이드 링의 설계는 가스 전송 효율을 최적화하여 소스 재료 가스가 성장 영역으로보다 효율적으로 흐르도록하여 성장을 향상시킬 수 있습니다. 단결정의 속도와 품질.

Vetek 반도체의 탄탈 룸 카바이드 코팅 가이드 링은 고품질 흑연 및 TAC 코팅으로 구성됩니다. 그것은 강한 부식성, 강한 산화 저항성 및 강한 기계적 강도를 가진 긴 서비스 수명을 가지고 있습니다. Vetek Semiconductor의 기술 팀은 가장 효과적인 기술 솔루션을 달성하는 데 도움이 될 수 있습니다. 귀하의 요구에 관계없이 Vetek Semiconductor는 해당 맞춤형 제품을 제공하고 귀하의 문의를 기대할 수 있습니다.

TAC 코팅의 물리적 특성

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