MoCVD SIC 코팅 감수기

VeTek 반도체MOCVD SiC 코팅 서셉터는 고품질의석묵, 열 안정성과 우수한 열전도율 (약 120-150 w/m · k)으로 선택됩니다. 흑연의 고유 한 특성은 내부의 가혹한 조건을 견딜 수있는 이상적인 재료입니다.MOCVD 반응기. 성능을 향상시키고 서비스 수명을 연장하기 위해 흑연 감수자는 실리콘 카바이드 층 (SIC)으로 조심스럽게 코팅됩니다.

MoCVD SIC 코팅 감수자는화학기상증착(CVD)그리고MOCVD(금속 유기 화학 기상 증착) 공정. 주요 기능은 실리콘 또는 실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼를 지지 및 가열하고 고온 환경에서 균일한 가스 증착을 보장하는 것입니다. 반도체 공정에 없어서는 안될 제품입니다.

반도체 공정에 MOCVD SiC 코팅 서셉터 적용:

웨이퍼 지지 및 가열:

MOCVD SiC 코팅 서셉터는 강력한 지지 기능을 가질 뿐만 아니라 효과적으로 가열할 수 있습니다.웨이퍼화학 기상 증착 공정의 안정성을 고르게 보장합니다. 증착 공정 동안, SIC 코팅의 높은 열전도율은 웨이퍼의 모든 영역으로 열 에너지를 빠르게 전달하여 국소 과열 또는 온도가 충분하지 않아 화학적 가스가 웨이퍼 표면에 균등하게 증착 될 수 있도록한다. 이 균일 한 가열 및 증착 효과는 웨이퍼 처리의 일관성을 크게 향상시켜 각 웨이퍼 균일의 표면 필름 두께를 만들고 결함 속도를 감소시켜 반도체 장치의 생산 수율 및 성능 신뢰성을 더욱 향상시킵니다.

에피택시 성장:

에서MOCVD 공정, SIC 코팅 캐리어는 에피 택시 성장 공정의 핵심 구성 요소입니다. 그것들은 구체적으로 실리콘 및 실리콘 카바이드 웨이퍼를지지하고 가열하는 데 사용되며, 화학 증기 상의 재료가 웨이퍼 표면에 균일하고 정확하게 증착되어 고품질의 결함이없는 박막 구조를 형성 할 수 있습니다. SIC 코팅은 고온에 저항 할뿐만 아니라 오염과 부식을 피하기 위해 복잡한 공정 환경에서 화학적 안정성을 유지합니다. 따라서 SIC 코팅 담당자는 SIC 전력 장치 (예 : SIC MOSFET 및 다이오드), LED (특히 청색 및 자외선 LED) 및 광전지 태양 전지와 같은 고정밀 반도체 장치의 에피 택시 성장 공정에서 중요한 역할을합니다.

질화갈륨(GaN)및 갈륨비소(GaAs) 에피택시:

SiC 코팅 캐리어는 우수한 열 전도성과 낮은 열팽창 계수로 인해 GaN 및 GaAs 에피택시층 성장에 없어서는 안 될 선택입니다. 효율적인 열 전도성은 에피택셜 성장 중에 열을 고르게 분산시켜 증착된 재료의 각 층이 제어된 온도에서 균일하게 성장할 수 있도록 보장합니다. 동시에 SiC의 낮은 열팽창 덕분에 극심한 온도 변화에도 치수 안정성을 유지하여 웨이퍼 변형 위험을 효과적으로 줄여 에피택셜 레이어의 높은 품질과 일관성을 보장합니다. 이러한 특징으로 인해 SiC 코팅 캐리어는 고주파, 고전력 전자 장치(예: GaN HEMT 장치), 광통신 및 광전자 장치(예: GaAs 기반 레이저 및 감지기) 제조에 이상적인 선택이 됩니다.

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