SiC 결정 성장을 위한 고순도 SiC 분말

1. 주요 특징

· 높은 순도 수준:순도 기능은 최대 99.9999%(6N 등급)에 이릅니다.

· 초저 금속 불순물:SiC 결정 성장에 최적화된 미량 금속 오염 최소화.

· 완전한 투명성:모든 배치에 대해 전체 GDMS(Glow Discharge Mass Spectrometry) 테스트 데이터를 사용할 수 있습니다.

· 안정적인 열 성능:PVT 성장 실행 중 고도로 예측 가능하고 균일한 승화 동작.

· 제어된 입자 크기 분포:일관된 패킹 밀도를 유지하기 위해 입도계측법을 주의 깊게 모니터링했습니다.

· 맞춤형 제제:요청 시 맞춤형 입자 크기 및 분포 곡선을 이용할 수 있습니다.

· 반도체 품질 표준:반도체급 품질관리 시스템에 따라 엄격하게 제조됩니다.

2. 제품 비주얼

3. 기술 사양

4. 응용

· PVT SiC 결정 성장:전도성 및 반절연 SiC 잉곳.

· 반도체 기판:웨이퍼 기판 및 에피택셜 가공 원료.

· 고급 열 구성 요소:고급 세라믹 부품 및 서셉터 코팅.

· 연구개발 애플리케이션:차세대 전력 전자 연구 및 고주파 장치.

5. VeTek Semiconductor를 선택하는 이유는 무엇입니까?

· 독점 정제:단결정 성장을 위해 최대 6N 순도를 제공하는 고급 정제 기술입니다.

· 엄격한 품질 관리:엄격한 반도체급 오염 관리로 철저한 품질 보증을 제공합니다.

· 사용자 정의 유연성:다양한 PVT 용광로 도가니 사양에 맞게 유연한 맞춤형 입자 크기 조정.

· 안정적인 공급망:안정적인 공급 능력으로 안정적인 장기 대량 생산 납품을 보장합니다.

· 기술 전문성:귀하의 특정 결정 성장 공정에 맞춰진 완전한 기술 지원을 제공합니다.