7N 고순도 CVD SiC 원료

1. 핵심 성과 요소

• 7N등급 순도: 99.99999%(7N)의 일정한 순도를 유지하여 금속 불순물을 ppb 수준으로 유지합니다. 이는 HPSI(고저항 반절연) 결정을 성장시키고 전력 또는 RF 애플리케이션에서 오염을 제로로 보장하는 데 필수적입니다.
• 구조적 안정성 대 C-Dust: 승화 중에 미세 입자가 붕괴되거나 방출되는 경향이 있는 기존 분말과 달리 당사의 큰 입자 CVD 벌크는 구조적으로 안정적으로 유지됩니다. 이는 결정 개재물 및 미세 파이프 결함의 주요 원인인 탄소 먼지(C-dust)가 성장 영역으로 이동하는 것을 방지합니다.
• 최적화된 성장 역학: 산업 규모의 제조용으로 설계된 이 소스는 최대 1.46mm/h의 성장률을 지원합니다. 이는 기존 분말 기반 방법으로 일반적으로 달성되는 0.3~0.8mm/h에 비해 2~3배 향상된 성능을 나타냅니다.
• 열 변화도 관리: 당사 블록의 높은 벌크 밀도와 특정 기하학적 구조는 도가니 내에서 더욱 공격적인 온도 구배를 생성합니다. 이는 실리콘과 탄소 증기의 균형 잡힌 방출을 촉진하여 표준 공정을 괴롭히는 "Si가 풍부한 초기/C가 풍부한 후기" 변동을 완화합니다.
• 도가니 로딩 최적화: 당사 소재는 분말 방식에 비해 8인치 도가니의 적재 용량을 2kg 이상 증가시킵니다. 이를 통해 사이클당 더 긴 잉곳의 성장이 가능해지며, 생산 후 수율이 100%로 직접적으로 향상됩니다.

1. 기술 사양

비교: 기존 분말과 VETEK CVD 벌크