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고순도 CVD SIC 원료
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고순도 CVD SIC 원료

CVD에 의해 제조 된 고순도 CVD SIC 원료는 물리 증기 수송에 의한 실리콘 탄화물 결정 성장을위한 최고의 소스 재료이다. Vetek 반도체에 의해 공급되는 고순도 CVD SIC 원료의 밀도는 Si 및 C- 함유 가스의 자발적 연소에 의해 형성된 작은 입자의 것보다 높으며, 전용 소결 용광로가 필요하지 않으며 거의 ​​일정한 증발 속도를 갖는다. 매우 고품질의 SIC 단결정을 키울 수 있습니다. 귀하의 문의를 기대합니다.

세미 콘 토르를 거래하십시오SIC 단결정 원료- 고순도 CVD SIC 원료. 이 제품은 국내 격차를 메우고 전 세계적으로 주요 수준에 있으며 경쟁에서 장기적인 선두 자리에있을 것입니다. 전통적인 실리콘 카바이드 원료는 고급 실리콘의 반응에 의해 생성되고석묵비용이 높고 순도가 낮고 크기가 작습니다. 


Vetek 반도체의 유동층 기술은 메틸 트리클로로 실란을 사용하여 화학 기상 증착을 통해 실리콘 카바이드 원료를 생성하며 주요 부산물은 염산입니다. 염산은 알칼리로 중화하여 염을 형성 할 수 있으며 환경에 대한 오염을 유발하지 않습니다. 동시에, Methyltrichlorosilane은 저렴한 비용과 넓은 공급원을 가진 널리 사용되는 산업 가스이며, 특히 중국은 메틸 트리클로로 실란의 주요 생산자입니다. 따라서 Vetek 반도체의 고순도 CVD SIC 원료는 비용과 품질 측면에서 국제적인 주요 경쟁력을 가지고 있습니다. 고순도 CVD SIC 원료의 순도는99.9995%.


고순도 CVD SIC 원료의 장점

High purity CVD SiC raw materials

 ● 큰 크기와 고밀도

평균 입자 크기는 약 4-10mm이고 국내 아케슨 원료의 입자 크기는 <2.5mm입니다. 동일한 부피 도가니는 1.5kg 이상의 원료를 보유 할 수 있으며, 이는 대형 결정 성장 재료의 불충분 한 공급 문제를 해결하고 원료의 흑연을 완화시키고 탄소 포장을 감소시키고 결정 품질을 향상시키는 데 도움이됩니다.


 ●낮은 SI/C 비율

자체 추적 방법의 Acheson 원자재보다 1 : 1에 가깝습니다. 이는 Si 부분 압력의 증가에 의해 유도 된 결함을 감소시킬 수 있습니다.


 ●높은 출력 값

성장한 원료는 여전히 프로토 타입을 유지하고, 재결정화를 줄이고, 원료의 흑연화를 줄이며, 탄소 포장 결함을 줄이며, 결정의 품질을 향상시킵니다.


더 높은 순도

CVD 방법에 의해 생성 된 원료의 순도는 자체 프로파제 방법의 Acheson 원자재의 순도보다 높다. 질소 함량은 추가 정제없이 0.09ppm에 도달했습니다. 이 원료는 또한 반 줄화 필드에서 중요한 역할을 할 수 있습니다.

High purity CVD SiC raw material for SiC Single Crystal저렴한 비용

균일 한 증발 속도는 프로세스 및 제품 품질 관리를 용이하게하는 한편, 원료의 활용률 (활용률> 50%, 4.5kg 원자재는 3.5kg 잉곳을 생성 함)을 개선하여 비용을 줄입니다.


 ●낮은 인간 오류율

화학 증기 증착은 인간 작동에 의해 도입 된 불순물을 피합니다.


고순도 CVD SIC 원료는 교체에 사용되는 새로운 세대 제품입니다.sic 단일 결정을 성장시키는 Sic 분말. 성장한 SIC 단결정의 품질은 매우 높습니다. 현재 Vetek 반도체는이 기술을 완전히 마스터했습니다. 그리고 이미이 제품을 매우 유리한 가격으로 시장에 공급할 수 있습니다.


Vetek 반도체 고순도 CVD SIC 원료 제품 상점 :

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