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견고한 SIC 에칭 링
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견고한 SIC 에칭 링

Solid SiC Etching Focusing Ring은 웨이퍼 식각 공정의 핵심 부품 중 하나로, 웨이퍼 고정, 플라즈마 집속, 웨이퍼 식각 균일성 향상 등의 역할을 합니다. VeTek Semiconductor는 중국 최고의 SiC 포커싱 링 제조업체로서 첨단 기술과 성숙한 프로세스를 보유하고 있으며 고객 요구 사항에 따라 최종 고객의 요구를 완벽하게 충족하는 Solid SiC Etching Focusing Ring을 제조합니다. 우리는 귀하의 문의를 환영하며 서로의 장기적인 파트너가 되기를 기대합니다.

Vetek 반도체는 CVD 솔리드 SIC 기술에서 큰 진전을 보였으며 이제 세계 최고의 수준의 고체 에칭 링을 생산할 수 있습니다. Vetek semiconductor의 견고한 Sic 에칭 링 링은 화학 증기 증착 공정을 통해 생성 된 매우 높은 순도 실리콘 카바이드 재료 제품입니다.

솔리드 SiC 에칭 포커싱 링은 반도체 제조 공정, 특히 플라즈마 에칭 시스템에 사용됩니다. SiC 포커스 링은 탄화규소(SiC) 웨이퍼의 정밀하고 제어된 에칭을 달성하는 데 도움이 되는 중요한 구성 요소입니다.


플라즈마 에칭 프로세스 동안 포커스 링은 다음과 같은 다양한 역할을 수행합니다.

● 혈장에 집중합니다: 솔리드 SiC 에칭 포커싱 링은 웨이퍼 주변의 플라즈마를 형성하고 집중시켜 에칭 공정이 균일하고 효율적으로 이루어지도록 도와줍니다. 이는 플라즈마를 원하는 영역으로 제한하여 주변 영역의 스트레이 에칭이나 손상을 방지하는 데 도움이 됩니다.

●  챔버 벽 보호: 초점 링은 혈장과 챔버 벽 사이의 장벽으로 작용하여 직접 접촉 및 잠재적 손상을 방지합니다. SIC는 혈장 침식에 매우 저항력이 있으며 챔버 벽에 탁월한 보호 기능을 제공합니다.

●  T온도 조절: SIC Focus Ring은 Etching 공정 중 Wafer 전반에 걸쳐 균일한 온도 분포를 유지하는데 도움을 줍니다. 이는 열을 발산하는 데 도움이 되며 에칭 결과에 영향을 미칠 수 있는 국부적인 과열이나 열 구배를 방지합니다.


Solid SiC Etching Focusing Ring in Plasma Etching Equipment


뛰어난 열적, 화학적 안정성, 높은 기계적 강도, 플라즈마 침식에 대한 저항성으로 인해 Solid SiC가 포커싱 링으로 선택되었습니다. 이러한 특성으로 인해 SiC는 플라즈마 에칭 시스템 내부의 가혹하고 까다로운 조건에 적합한 소재입니다.


포커싱 링의 디자인과 사양은 특정 플라즈마 에칭 시스템 및 프로세스 요구 사항에 따라 달라질 수 있다는 점은 주목할 가치가 있습니다. VeTek Semiconductor는 포커싱 링의 모양, 치수 및 표면 특성을 최적화하여 최적의 에칭 성능과 수명을 보장합니다. Solid SiC는 웨이퍼 캐리어, 서셉터, 더미 웨이퍼, 가이드 링, 식각 공정용 부품, CVD 공정 등에 널리 사용됩니다.


견고한 SiC 에칭 포커스 링의 제품 매개변수


고체 SiC의 물리적 특성
밀도 3.21 g/cm3
전기 저항성 102 Ω/cm
굴곡강도 590 MPA (6000kgf/cm2)
영률 450 평점 (6000kgf/mm2)
비커스 경도 26 평점 (2650kgf/mm2)
C.T.E. (RT-1000 ℃) 4.0 10배-6/케이
열전도율(RT) 250 w/mk


VeTek 반도체 생산공장


Veteksemi Solid SiC Etching Focusing Ring shops


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