고체 실리콘 카바이드

VeTek Semiconductor 고체 탄화규소는 플라즈마 에칭 장비의 중요한 세라믹 부품인 고체 탄화규소(CVD 실리콘 카바이드) 에칭 장비의 부품에는 다음이 포함됩니다.포커싱 링, 가스 샤워헤드, 트레이, 엣지링 등 고체 탄화규소(CVD 탄화규소)는 염소 및 불소 함유 식각 가스에 대한 반응성과 전도성이 낮아 플라즈마 식각 장비 포커싱 링 등에 이상적인 소재입니다. 구성 요소.

예를 들어, 포커스 링은 웨이퍼 외부에 위치하여 웨이퍼와 직접 접촉하는 중요한 부품으로, 링에 전압을 인가하여 링을 통과하는 플라즈마를 집속시켜 플라즈마를 웨이퍼에 집속시켜 웨이퍼의 균일성을 향상시키는 역할을 합니다. 처리. 기존의 초점 링은 실리콘 또는석영, 전도성 실리콘은 일반적인 초점 링 재료로 실리콘 웨이퍼의 전도성에 거의 가깝지만 불소 함유 플라즈마의 에칭 저항성이 부족하여 일정 기간 동안 자주 사용되는 에칭 기계 부품 재료가 심각할 것입니다. 부식 현상으로 인해 생산 효율성이 심각하게 저하됩니다.

Solid SiC 포커스 링작동 원리：

Working Principle of Solid SiC Focus Ring

그리고 기반 포커싱 링과 CVD SiC 포커싱 링의 비교:

그리고 기반 포커싱 링과 CVD SiC 포커싱 링 비교
목	그리고	CVD SiC
밀도(g/cm2³)	2.33	3.21
밴드 갭(eV)	1.12	2.3
열전도율(W/cm℃)	1.5	5
CTE(x10^-6/℃)	2.6	4
탄성률(GPa)	150	440
경도(GPa)	11.4	24.5
마모 및 부식에 대한 저항성	가난한	훌륭한

VeTek Semiconductor는 반도체 장비용 SiC 포커싱 링과 같은 고급 고체 탄화규소(CVD 탄화규소) 부품을 제공합니다. 당사의 견고한 탄화규소 포커싱 링은 기계적 강도, 내화학성, 열 전도성, 고온 내구성 및 이온 에칭 저항성 측면에서 기존 실리콘보다 성능이 뛰어납니다.

그리고C 포커싱 링의 주요 특징은 다음과 같습니다.:

감소된 에칭 속도를 위한 고밀도.

높은 밴드갭으로 절연성이 우수합니다.

열 전도성이 높고 열팽창 계수가 낮습니다.

기계적 충격에 대한 저항성과 탄성이 우수합니다.

높은 경도, 내마모성, 내식성.

다음을 사용하여 제조됨플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)기술을 통해 당사의 SiC 포커싱 링은 반도체 제조에서 증가하는 에칭 공정 요구 사항을 충족합니다. 특히 더 높은 플라즈마 출력과 에너지를 견딜 수 있도록 설계되었습니다.용량성 결합 플라즈마(CCP)시스템.

VeTek Semiconductor의 SiC 포커싱 링은 반도체 장치 제조에서 탁월한 성능과 신뢰성을 제공합니다. 우수한 품질과 효율성을 위해 당사의 SiC 구성요소를 선택하십시오.

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