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솔리드 SIC 웨이퍼 캐리어
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솔리드 SIC 웨이퍼 캐리어

Vetek 반도체의 견고한 SIC 웨이퍼 캐리어는 반도체 에피 택셜 프로세스에서 고온 및 부식 내성 환경을 위해 설계되었으며 고순도 요구 사항이 높은 모든 유형의 웨이퍼 제조 공정에 적합합니다. Vetek Semiconductor는 중국의 주요 웨이퍼 캐리어 공급 업체이며 반도체 산업에서 장기 파트너가되기를 기대합니다.

고체 SIC 웨이퍼 캐리어는 반도체 에피 택셜 공정의 고온, 고압 및 부식성 환경을 위해 제조 된 구성 요소이며, 고순도 요구 사항이 높은 다양한 웨이퍼 제조 공정에 적합합니다. 


솔리드 SIC 웨이퍼 캐리어는 웨이퍼의 가장자리를 덮고 웨이퍼를 보호하고 정확하게 배치하여 고품질 에피 택셜 층의 성장을 보장합니다. SIC 재료는 우수한 열 안정성, 내식성 및 뛰어난 열전도율로 인해 액체 상 에피 택시 (LPE), 화학 기화 (CVD) 및 금속 유기 증기 증착 (MOCVD)과 같은 공정에서 널리 사용됩니다. Vetek 반도체의 견고한 SIC 웨이퍼 캐리어는 여러 가혹한 환경에서 검증되었으며 웨이퍼 에피 택셜 성장 공정의 안정성과 효율을 효과적으로 보장 할 수 있습니다.


Vapor-phase epitaxial growth method


솔리드 SIC 웨이퍼 캐리어제품 기능


● 초고 온도 안정성솔리드 SIC 웨이퍼 캐리어는 최대 1500 ° C의 온도에서 안정적으로 유지 될 수 있으며 변형 또는 균열이 발생하지 않습니다.


● 우수한 화학적 내식성고순도 실리콘 카바이드 물질을 사용하여 강산, 강한 알칼리 및 부식성 가스를 포함한 다양한 화학 물질의 부식에 저항하여 웨이퍼 캐리어의 서비스 수명을 연장 할 수 있습니다.

● 높은 열전도율고체 SIC 웨이퍼 캐리어는 우수한 열전도율을 가지며 공정 동안 열을 빠르고 균일하게 분산시켜 웨이퍼 온도의 안정성을 유지하고 에피 택셜 층의 균일 성과 품질을 향상시킬 수 있습니다.


● 낮은 입자 생성SIC 재료는 자연적인 낮은 입자 생성 특성을 가지므로 오염 위험을 줄이고 고순도에 대한 반도체 산업의 엄격한 요구 사항을 충족시킬 수 있습니다.


기술 사양 :


매개 변수 설명
재료
고순도 고체 실리콘 카바이드
적용 가능한 웨이퍼 크기
4 인치, 6 인치, 8 인치, 12 인치 (사용자 정의 가능)
최대 온도 공차
최대 1500 ° C
화학 저항
산 및 알칼리 저항, 불소 부식 저항
열전도율
250 w/(m · k)
입자 생성 속도
고순도 요구 사항에 적합한 초경량 입자 생성
사용자 정의 옵션
크기, 모양 및 기타 기술 매개 변수는 필요에 따라 사용자 정의 할 수 있습니다.

왜 선택하십시오반도체솔리드 SIC 웨이퍼 기판 캐리어 링?


● 신뢰성: 최종 고객의 엄격한 테스트 및 실제 검증 후 극한 조건에서 장기적이고 안정적인 지원을 제공하고 프로세스 중단 위험을 줄일 수 있습니다.


● 고품질 재료: 최고 품질의 SIC 재료로 만들어진 각 솔리드 SIC 웨이퍼 캐리어가 업계의 높은 표준을 충족하도록합니다.


● 사용자 정의 서비스: 특정 프로세스 요구를 충족시키기 위해 여러 사양 및 기술 요구 사항의 사용자 정의를 지원합니다.


더 많은 제품 정보가 필요하거나 주문을하려면 저희에게 연락하십시오. 우리는 생산 효율성을 향상시키고 유지 보수 비용을 줄이는 데 도움이되는 특정 요구에 따라 전문 상담 및 솔루션을 제공 할 것입니다.


솔리드 SIC 웨이퍼 캐리어 제품 상점 :

Semiconductor EquipmentGraphite epitaxial substrateGraphite ring assemblySemiconductor process equipment


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