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고순도 sic 캔틸레버 패들
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고순도 sic 캔틸레버 패들

Vetek Semiconductor는 중국의 고순도 SIC 캔틸레버 패들 제품의 주요 제조업체이자 공급 업체입니다. 고순도 SIC 캔틸레버 패들은 일반적으로 반도체 확산 용광로에서 웨이퍼 전송 또는 하중 플랫폼으로 사용됩니다.

고순도 SIC 캔틸레버 패들은 반도체 처리 장비에 사용되는 핵심 구성 요소입니다. 이 제품은 고순도 실리콘 카바이드 (SIC) 재료로 만들어집니다.  고객은 소결 SIC 재료 또는 재결정 SIC 재료를 자유롭게 선택할 수 있습니다. 고순도, 높은 열 안정성 및 부식 저항의 탁월한 특성을 통해 웨이퍼 전송, 지원 및 고온 처리와 같은 프로세스에 널리 사용되므로 프로세스 정확도 및 제품 품질을 보장하기위한 신뢰할 수있는 보장을 제공합니다.


고순도 SIC 캔틸레버 패들은 반도체 처리 프로세스에서 다음과 같은 특정 역할을합니다.


웨이퍼 전송: 고순도 SIC 캔틸레버 패들은 일반적으로 고온 확산 또는 산화 용광로에서 웨이퍼 전달 장치로 사용됩니다. 경도가 높으면 장기 사용 중에는 내마모성이 있고 변형이 쉽지 않으며, 전송 공정 중에 웨이퍼가 정확하게 배치되도록 할 수 있습니다. 고온 및 부식 저항과 결합하여 웨이퍼에 대한 오염이나 손상을 일으키지 않고 고온 환경에서 용광로 튜브 안팎으로 웨이퍼를 안전하게 전달할 수 있습니다.


웨이퍼 지지대: SIC 재료는 열 팽창 계수가 낮으므로 온도가 변할 때 크기가 더 적어 프로세스의 정확한 제어를 유지하는 데 도움이됩니다. 화학 증기 증착 (CVD) 또는 물리 증기 증착 (PVD) 공정에서, SIC 캔틸레버 패들은 웨이퍼를지지하고 고정하여 증착 공정 동안 웨이퍼가 안정적이고 평평하게 유지되도록하여 필름의 균일 성과 품질을 향상시킨다.


고온 공정의 적용: sic 캔틸레버 패들은 열 안정성이 우수하며 최대 1600 ° C의 온도를 견딜 수 있습니다. 따라서이 제품은 고온 어닐링, 산화, 확산 및 기타 공정에서 널리 사용됩니다.


고순도 sic 캔틸레버 패들의 기본 물리적 특성:

소결 실리콘 카바이드의 물리적 특성

재산

전형적인 가치

화학 성분

sic> 95% , 그리고 <5%

벌크 밀도

> 3.07 g/cm³
명백한 다공성
<0.1%
20 ℃에서 파열의 모듈러스
270 MPa
1200 ℃에서 파열의 모듈러스
290 MPa
20 ℃에서의 경도
2400kg/mm²
20%의 골절 강인
3.3 MPa · m1/2
1200 ℃에서 열전도율
45 W/M.K
20-1200 ℃에서 열 팽창
4.5 × 10-6/℃
최대 작업 온도
1400 ℃
1200 ℃에서 열 충격 저항
좋은

재결정 실리콘 탄화물의 물리적 특성
재산
전형적인 가치
작업 온도 (° C)
1600 ° C (산소 포함), 1700 ° C (환경 감소)
sic 컨텐츠
> 99.96%
무료 SI 컨텐츠
<0.1%
벌크 밀도
2.60-2.70 g/cm3
명백한 다공성
<16%
압축 강도
> 600 MPa
콜드 굽힘 강도
80-90 MPa (20 ° C)
뜨거운 굽힘 강도
90-100 MPa (1400 ° C)
1500 ° C @열 팽창
4.70 x 10-6/° C
열전도율 @1200 ° C
23 w/m • k
탄성 계수
240 GPA
열 충격 저항
매우 좋습니다


고순도 sic 캔틸레버 패들상점:


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반도체 칩 에피 택시 산업 체인의 개요:


Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain

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