Veteksemicon의 실리콘 카바이드 캔틸레버 패들은 반도체 제조의 고급 웨이퍼 처리를 위해 설계되었습니다. 고순도 SiC로 제작되어 뛰어난 열 안정성, 우수한 기계적 강도, 고온 및 부식 환경에 대한 탁월한 저항성을 제공합니다. 이러한 기능은 MOCVD, 에피택시, 확산과 같은 공정에서 정밀한 웨이퍼 핸들링, 연장된 서비스 수명 및 안정적인 성능을 보장합니다. 상담을 환영합니다.
애플리케이션: 나의 라이벌 SiC 패들은 고급 반도체 제조의 핵심 구성 요소로, SiC 전력 장치 에피택시, 고온 어닐링, 실리콘 기반 칩의 게이트 산화와 같은 핵심 공정용으로 설계되었습니다.
제공 가능한 서비스: 고객 응용 시나리오 분석, 자료 매칭, 기술 문제 해결.
회사 소개:나의 라이벌은 20년의 재료 경험과 R&D, 생산, 테스트 및 검증 능력을 갖춘 전문가 팀인 2개의 실험실을 보유하고 있습니다.
나의 라이벌 SiC 패들은 반도체 및 탄화규소 칩 제조의 고온 공정을 위해 특별히 설계된 핵심 하중 지지 부품입니다. 고순도, 고밀도 실리콘 카바이드로 정밀하게 제조된 당사의 패들은 1200°C가 넘는 가혹한 환경에서 탁월한 열 안정성과 극도로 낮은 금속 오염을 보여줍니다. 이는 확산 및 산화와 같은 중요한 공정 중에 원활하고 깨끗한 웨이퍼 운송을 효과적으로 보장하여 공정 수율 및 장비 성능을 향상시키기 위한 신뢰할 수 있는 기반 역할을 합니다.
기술적인 매개변수
프로젝트
매개변수
주요재료
고순도 반응결합 SiC/CVD SiC
최대 작동 온도
1600°C(불활성 또는 산화 분위기)
금속 불순물 함량
< 50ppm(요청 시 더 낮은 순도 등급 제공 가능)
밀도
≥ 3.02g/cm³
굽힘강도
≥ 350MPa
열팽창 계수
4.5×10-6/K(20-1000°C)
표면 처리
고정밀 연삭, 표면 조도 Ra 0.4μm 이하 도달 가능
Veteksemi SiC 패들 핵심 장점
● 최고의 순도, 칩 수율 보호
우리는 고급 공정을 사용하여 탄화규소 원료를 생산하고 금속 불순물을 최소화합니다. Veteksemi SiC 패들은 장기간 고온 환경에서 불순물 침전을 효과적으로 억제하여 민감한 웨이퍼의 오염을 방지하고 소스로부터 높은 수율 생산을 보장합니다.
● 극한의 과제를 해결할 수 있는 뛰어난 내열성
탄화규소 자체는 대부분의 세라믹 재료를 능가하는 고온 저항 특성을 가지고 있습니다. 당사의 패들은 최대 1600°C의 공정 온도를 쉽게 처리할 수 있고, 열팽창 계수가 매우 낮으며, 반복적인 급속 가열 및 냉각 주기 동안 탁월한 열충격 저항성을 나타내어 변형 및 균열 위험을 최소화하고 서비스 수명을 연장합니다.
● 탁월한 기계적 강도로 안정적인 전송 보장
매우 높은 강성과 경도로 인해 웨이퍼를 완전히 적재한 경우에도 우수한 형태학적 안정성을 유지합니다. 이를 통해 자동 이송 중 웨이퍼의 정밀한 정렬이 보장되어 웨이퍼가 용광로에 원활하게 들어가고 나올 수 있어 진동이나 편차로 인한 파손 위험이 줄어듭니다.
● 우수한 내식성, 긴 수명
VetekSemicon SiC 패들은 산화 및 확산 공정에서 일반적으로 발견되는 산소 및 수소와 같은 부식성 분위기에서 강한 화학적 불활성을 나타내며 표면 침식률이 매우 낮습니다. 이를 통해 장기간 사용해도 안정적인 크기와 성능이 보장되어 전체 소유 비용이 크게 절감됩니다.
주요 응용 분야
적용방향
일반적인 시나리오
탄화규소 전력소자 제조
SiC 에피택시, 고온 이온 주입 및 어닐링
3세대 반도체
GaN-on-Si 및 기타 재료의 MOCVD 전처리 및 어닐링
개별 장치
IGBT, MOSFET 등의 고온 확산 공정
생태 사슬 검증 승인
나의 라이벌 SiC 패들의 생태학적 사슬 검증은 원자재부터 생산까지 포괄하고, 국제 표준 인증을 통과했으며, 반도체 및 신에너지 분야에서 신뢰성과 지속 가능성을 보장하기 위한 다수의 특허 기술을 보유하고 있습니다.
자세한 기술 사양, 백서 또는 샘플 테스트 준비에 대해서는 기술 지원 팀에 문의하여 Veteksemicon이 프로세스 효율성을 향상시킬 수 있는 방법을 알아보세요.
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