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SIC 단결정 성장을위한 주요 방법은 : 물리 증기 수송 (PVT), 고온 화학 증기 증착 (HTCVD) 및 고온 용액 성장 (HTSG)입니다.

태양 광 발전 산업의 발전으로 확산 용광로와 LPCVD 용광로는 태양 전지의 생산을위한 주요 장비이며, 이는 태양 전지의 효율적인 성능에 직접적인 영향을 미칩니다. 포괄적 인 제품 성능 및 사용 비용에 따라 실리콘 카바이드 세라믹 재료는 석영 재료보다 태양 전지 분야에서 더 많은 장점이 있습니다. 태양 광 산업에 실리콘 카바이드 세라믹 재료를 적용하면 태양 광 기업이 보조 자료 투자 비용을 줄이고 제품 품질 및 경쟁력을 향상시키는 데 크게 도움이 될 수 있습니다. 태양 광 분야에서 실리콘 카바이드 세라믹 재료의 미래 추세는 주로 순도가 높고, 강한 하중 수용 용량, 높은 하중 용량 및 저렴한 비용을 향한 것입니다.

이 기사에서는 재료 소스 및 순도 제어, 공정 매개변수 최적화, 코팅 접착성, 장비 유지 관리 및 공정 안정성, 환경 보호 및 비용 제어 등 반도체 공정 중 SiC 단결정 성장을 위한 CVD TaC 코팅 공정이 직면한 구체적인 과제를 분석합니다. 해당 산업 솔루션도 포함됩니다.

SIC 단결정 성장의 적용 관점에서,이 기사는 TAC 코팅 및 SIC 코팅의 기본 물리적 파라미터를 비교하고 고온 저항, 강한 화학적 안정성, 불순물 감소 및 불순물 감소 측면에서 SIC 코팅에 대한 TAC 코팅의 기본 장점을 설명합니다. 비용 절감.