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실리콘 카바이드 (SIC)는 고온 저항, 부식성 및 높은 기계적 강도와 같은 우수한 특성으로 알려진 고정밀 반도체 재료입니다. 그것은 200 개가 넘는 결정 구조를 가지고 있으며, 3c-sic은 유일한 입방 유형이며, 다른 유형에 비해 우수한 천연 구형 및 치밀화를 제공합니다. 3C Sic은 전자 이동성이 높은 것으로 두드러 지므로 전력 전자 장치의 MOSFET에 이상적입니다. 또한 나노 전자 공학, 파란색 LED 및 센서에서 큰 잠재력을 보여줍니다.

잠재적 인 4 세대 "Ultimate Semiconductor"인 Diamond는 탁월한 경도, 열전도율 및 전기 특성으로 인해 반도체 기판에서 주목을 받고 있습니다. 높은 비용과 생산 문제는 사용을 제한하지만 CVD는 선호하는 방법입니다. 도핑과 대규모 지역의 결정 도전에도 불구하고 다이아몬드는 약속을 지니고 있습니다.

SIC 및 GAN은 더 높은 고장 전압, 더 빠른 스위칭 속도 및 우수한 효율과 같은 실리콘보다 장점을 가진 광선 밴드 갭 반도체입니다. SIC는 열전도율이 높기 때문에 고전압 고출력 적용에 더 좋습니다. GAN은 우수한 전자 이동성 덕분에 고주파 응용 분야에서 탁월합니다.

전자빔 증착법은 증착물질을 전자빔으로 가열하여 기화시켜 박막으로 응축시키는 저항가열 방식에 비해 효율이 높고 널리 사용되는 코팅 방식입니다.