SIC 에피 택셜 성장 공정 동안, SIC 코팅 된 흑연 현탁액 파괴가 발생할 수있다. 이 논문은 SIC 코팅 된 흑연 현탁액의 고장 현상에 대한 엄격한 분석을 수행하며, 여기에는 주로 SIC 에피 택셜 가스 파괴 및 SIC 코팅 고장이 포함 된 두 가지 요인이 포함되어있다.
에피택시로의 작동 원리는 고온, 고압 하에서 기판에 반도체 재료를 증착하는 것입니다. 실리콘 에피택셜 성장은 특정 결정 방향을 가진 실리콘 단결정 기판 위에 기판과 동일한 결정 방향과 다른 두께를 가진 결정 층을 성장시키는 것입니다. 이 기사에서는 주로 실리콘 에피택셜 성장 방법인 기상 에피택시와 액상 에피택시를 소개합니다.
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