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고순도 석영 웨이퍼 캐리어
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고순도 석영 웨이퍼 캐리어

VeTek Semiconductor의 고순도 석영 웨이퍼 캐리어는 고온 열 처리, 박막 증착, 습식 공정 및 진공 응용 분야에서 안정적인 웨이퍼 처리를 위해 정밀하게 설계된 반도체 등급 고정 장치입니다. 반도체 등급 탈수산화 용융 석영(JGS2 등가)으로 제조된 이 웨이퍼 캐리어는 초고순도, 우수한 열충격 저항성, 화학적 불활성, 낮은 가스 방출 및 높은 평탄도를 제공하여 2~12인치 실리콘, SiC, GaN 및 사파이어 기판에 대한 안정적이고 오염 없는 지원을 보장합니다.

1. 주요 특징 및 장점

금속 불순물을 ppb 수준으로 제어하여 웨이퍼 오염을 최소화하는 초고순도 수산화 용융 석영(SiO2 ≥ 99.999%)

최대 1100°C의 장기 작동 온도; 1200°C까지의 단기 피크 저항

잦은 온도 순환에도 탁월한 열충격 저항성 및 치수 안정성

산화 공정 가스 및 일반적인 습식 공정 화학물질(HF, H2O2, 산/알칼리)에 대한 강한 화학적 불활성

균일한 웨이퍼 지지 및 가장자리 손상 감소를 위해 둥근 모서리를 갖춘 높은 평탄도 및 정밀 연삭된 표면

낮은 진공 탈가스 및 낮은 표면 흡착 - 정밀 진공 공정에 적합

완전히 사용자 정의 가능한 구조: 견고한 캐리어, 천공/통풍 설계, 계단형 위치 지정 기능, 위치 지정 구멍, 다중 지점 지지대 및 2~12인치 웨이퍼용 두꺼운 변형 방지 설계

2. 일반적인 응용 분야

이러한 캐리어는 고온이나 공격적인 화학 반응 하에서 웨이퍼가 깨끗하고 치수적으로 안정적인 지지가 필요한 모든 곳에서 사용됩니다.

확산 및 어닐링로 로딩

PECVD 및 LPCVD 막 성장 공정 지원

진공 챔버 및 고온 공정 툴링

에칭 후 건조 및 습식 세정 스테이션 캐리어

SiC 및 GaN 전력 장치 열 처리

광전자 기판 처리 및 실험실 열 도구

3. 주요 기술 매개변수

기본 재료: 반도체 등급 수산화 용융 석영, SiO2 ≥ 99.999%

호환 가능한 웨이퍼 크기: 2, 4, 6, 8, 12인치(Si, SiC, GaN, 사파이어)

권장 연속 온도 범위: −20 °C ~ 1100 °C; 최대 약 1200°C의 단기 피크

제조 경로: 일체형 성형, 정밀 표면 연삭, 모서리 라운딩, 응력 제거 어닐링 및 초청정 최종 세척

사용 가능한 구성: 솔리드, 통풍/천공, 계단식 위치 지정, 구멍 패턴 및 완전 맞춤형 형상

성능 초점: 고순도, 열 안정성, 내식성, 표면 평탄도, 낮은 가스 방출 및 장기 치수 유지

사용자 정의 범위: 고객 도면을 기반으로 한 외부 치수, 두께, 지지 형상, 구멍 레이아웃 및 특수 기능

4. VeTek 고순도 석영 웨이퍼 캐리어를 선택하는 이유는 무엇입니까?

VeTek Semiconductor는 반도체 석영 부품 전문 제조업체로서 다음을 제공합니다.

열, 진공 및 습식 공정 환경에 맞게 설계된 고순도 석영 웨이퍼 캐리어

첨단 반도체 생산에 적합한 엄격한 순도 관리, 표면 평탄도, 청정도

퍼니스, 챔버 및 프로세스 스테이션 툴링을 위한 완벽한 맞춤화 및 OEM 호환 설계

용광로 튜브, 웨이퍼 보트, 도가니 및 기타 공정 부품을 포함한 보완적인 반도체 석영 제품

당사의 고순도 석영 웨이퍼 캐리어는 균일한 열 접촉을 유지하고, 입자 및 금속 오염을 줄이고, 지속적인 고온 및 부식성 공정 조건에서 툴링 수명을 연장하여 반도체 제조에서 더 높은 수율과 낮은 소유 비용을 지원합니다.

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