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CMP 연마 슬러리
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CMP 연마 슬러리

CMP 연마 슬러리 (화학 기계적 연마 슬러리)는 반도체 제조 및 정밀 재료 처리에 사용되는 고성능 재료입니다. 그것의 핵심 기능은 화학적 부식 및 기계적 분쇄의 상승 효과 하에서 재료 표면의 미세한 평탄도와 연마를 달성하여 나노 수준의 평평성 및 표면 품질 요구 사항을 충족시키는 것입니다. 추가 상담을 기대합니다.
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제품 설명

Veteksemicon의 CMP 연마 슬러리는 주로 반도체 재료를 평면화하기위한 CMP 화학 기계적 연마 슬러리에서 연마 연마제로 사용됩니다. 다음과 같은 장점이 있습니다.

● 입자의 직경 및 입자 연관 정도는 자유롭게 제어 될 수있다;
● 입자는 단 분산되고 입자 크기 분포는 균일합니다.
● 분산 시스템은 안정적입니다.
● 대량 생산 척도는 크고 배치 간의 차이는 작습니다.
● 응축하고 정착하는 것은 쉽지 않습니다.


초고 순도 시리즈 제품의 성능 표시기

매개 변수
 단위
 초고 순도 시리즈 제품의 성능 표시기
주교
 주교2
 주교3
 주교4
 주교-5
 주교6
 주교7
평균 실리카 입자 크기
 nm
 35 ± 5
 45 ± 5
 65 ± 5
 75 ± 5
 85 ± 5
 100 ± 5
 120 ± 5
나노 입자 크기 분포 (PDI)
 1 <0.15
 <0.15
 <0.15
 <0.15
 <0.15
 <0.15
 <0.15
솔루션 pH
 1 7.2-7.4
 7.2-7.4
 7.2-7.4
 7.2-7.4
 7.2-7.4
 7.2-7.4
 7.2-7.4
견고한 내용
 % 20.5 ± 0.5
 20.5 ± 0.5
 20.5 ± 0.5
 20.5 ± 0.5
 20.5 ± 0.5
 20.5 ± 0.5
 20.5 ± 0.5
모습
 -
 밝은 파란색
 파란색
 하얀색
 흰색
 흰색
 흰색
 흰색
입자 형태 x
 x ： S- 페르 릭 ； B- 곡선 ； P- 땅콩 모양의 ； T- 구근 ； C- 체인과 같은 (집계 상태)
이온 안정화
 유기 / 무기 아민
원료 조성 y
 및 ： m-tmos ； e-you ； me-tamos+teos ； em-ezos+tmos
금속 불순물 함량
 ≤ 300ppb


CMP 연마 슬러리 제품 응용 프로그램 ：


● 통합 회로 ILD 재료 CMP

● 통합 회로 폴리 -Si 재료 CMP

● 반도체 단결정 실리콘 웨이퍼 재료 CMP

● 반도체 실리콘 카바이드 재료 CMP

● 통합 회로 STI 재료 CMP

● 통합 회로 금속 및 금속 배리어 레이어 재료 CMP


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