제품
CMP 연마 슬러리
  • CMP 연마 슬러리CMP 연마 슬러리

CMP 연마 슬러리

CMP 연마슬러리(Chemical Mechanical Polishing Slurry)는 반도체 제조 및 정밀재료 가공에 사용되는 고성능 소재입니다. 핵심 기능은 화학적 부식과 기계적 연삭의 시너지 효과로 재료 표면의 미세한 평탄도와 연마를 달성하여 나노 수준의 평탄도 및 표면 품질 요구 사항을 충족하는 것입니다. 앞으로도 많은 상담을 기대합니다.

베텍세미콘의 CMP 연마슬러리는 주로 반도체 소재 평탄화용 CMP 화학기계 연마슬러리 중 연마연마재로 사용됩니다. 다음과 같은 장점이 있습니다.

입자 직경과 입자 응집 정도를 자유롭게 조절할 수 있습니다.
입자는 단분산되어 있고 입자 크기 분포는 균일합니다.
분산 시스템은 안정적입니다.
대량 생산 규모가 크고 배치 간의 차이가 작습니다.
응축, 정착이 쉽지 않습니다.


초고순도 시리즈 제품의 성능 지표

매개변수
단위
초고순도 시리즈 제품의 성능 지표

업XY-1
업XY-2
업XY-3
업XY-4
업XY-5
업XY-6
업XY-7
평균 실리카 입자 크기
nm
35±5
45±5
65±5
75±5
85±5
100±5
120±5
나노입자 크기 분포(PDI)
1 <0.15
<0.15
<0.15
<0.15
<0.15
<0.15
<0.15
용액 pH
1 7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
솔리드 컨텐츠
% 20.5±0.5
20.5±0.5
20.5±0.5
20.5±0.5
20.5±0.5
20.5±0.5
20.5±0.5
모습
--
라이트 블루
파란색
하얀색
오프화이트
오프화이트
오프화이트
오프화이트
입자 형태 X
X: S- 구형; B- 곡선; P- 땅콩 모양; T- 구근; C- 사슬 모양(응집된 상태)
안정화 이온
유기/무기 아민
원료 구성 Y
Y: M-TMOS; E-TEOS; ME-TMOS+TEOS; EM-TEOS+TMOS
금속 불순물 함량
300ppb 이하


고순도 시리즈 제품의 성능 사양

매개변수
단위
고순도 시리즈 제품의 성능 사양
WGXY-1Z WGXY-2Z
WGXY-3Z
WGXY-4Z
WGXY-5Z
WGXY-6Z
WGXY-7Z
평균 실리카 입자 크기
nm
35±5
45±5
65±5
75±5
85±5
100±5
120±5
나노입자 크기 분포(PDI)
1 <0.15
<0.15
<0.15
<0.15
<0.15
<0.15
<0.15
용액 pH
1 9.5±0.2
9.5±0.2
9.5±0.2
9.5±0.2
9.5±0.2
9.5±0.2
9.5±0.2
솔리드 컨텐츠
% 30-40 30-40
30-40
30-40
30-40
30-40
30-40
모습
--
라이트 블루
파란색
하얀색
오프화이트
오프화이트
오프화이트
오프화이트
입자 형태 X
X: S- 구형; B- 곡선; P- 땅콩 모양; T- 구근; C- 사슬 모양(응집된 상태)
안정화 이온
M:유기아민, K:수산화칼륨, N:수산화나트륨, 또는 기타 성분
금속 불순물 함량
Z:고순도 시리즈(H 시리즈≤1ppm; L 시리즈≤10ppm);표준 시리즈(M 시리즈 ≤300ppm)

CMP 연마 슬러리 제품 응용 분야:


● 집적회로 ILD 재료 CMP

● 집적회로 Poly-Si 재료 CMP

● 반도체 단결정 실리콘 웨이퍼 소재 CMP

● 반도체 탄화규소 소재 CMP

● 집적회로 STI 재료 CMP

● 집적회로 금속 및 금속 장벽층 재료 CMP


핫 태그: CMP 연마 슬러리
문의 보내기
연락처 정보
실리콘 카바이드 코팅, 탄탈륨 카바이드 코팅, 특수 흑연 또는 가격표에 대한 문의사항은 이메일을 남겨주시면 24시간 이내에 연락드리겠습니다.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept