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CVD 실리콘 카바이드(SiC) 코팅 흑연 RTP RTA 캐리어
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CVD 실리콘 카바이드(SiC) 코팅 흑연 RTP RTA 캐리어

VETEK CVD 실리콘 카바이드(SiC) 코팅 흑연 RTP RTA 캐리어는 반도체 제조에 사용되는 급속 열 처리(RTP) 및 급속 열 어닐링(RTA) 시스템용으로 설계되었습니다. 조밀한 CVD SiC 코팅이 적용된 고순도 등방성 흑연으로 제조되어 탁월한 열 안정성, 탁월한 온도 균일성, 우수한 내화학성 및 초저 입자 발생을 제공합니다. 반복되는 급속 가열 및 냉각 주기를 견딜 수 있도록 설계된 캐리어는 실리콘 웨이퍼 어닐링 및 기타 고온 반도체 응용 분야에 대해 안정적인 웨이퍼 지지와 안정적인 공정 성능을 보장합니다.

제품특징

· 핵심 장비:급속 열 어닐링(RTA) 및 급속 열 처리(RTP) 시스템용으로 설계되었습니다.

· 프리마리 A신청: 반도체 웨이퍼 어닐링 공정에 최적화되었습니다.

· 작전e등급 테온도:200°C ~ 700°C에서 안정적으로 작동합니다.

· Exc엘렌트 거기말 균일성: 일관된 웨이퍼 처리를 위해 균일한 열 분포를 보장합니다.

· 낮은 입자G생성: 고밀도 CVD SiC 코팅은 오염을 최소화하고 생산 수율을 향상시킵니다.

· 우수한 내화학성:열처리 중 산화 및 부식성 공정 가스에 대한 저항력이 있습니다.

· 뛰어난g 온도알 충격 저항: 반복적인 급속 가열 및 냉각 주기를 통해 구조적 무결성을 유지합니다.

· 긴 서비스 수명:내마모성 SiC 코팅은 부품 수명을 크게 연장하고 유지 관리 비용을 절감합니다.

· 관습조작:다양한 RTP/RTA 장비에 맞게 다양한 크기와 구성으로 제공됩니다.


기술 사양

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성
재산
일반적인 값
결정 구조
FCC β 상 다결정, 주로 (111) 방향
밀도
3.21g/cm³
경도
비커스 경도 2500(500g 하중)
입자 크기
2~10μm
화학적 순도
99.99995%
열용량
640 J·kg⁻¹·K⁻¹
승화 온도
2700°C
굴곡강도
415MPa(RT, 4점 굽힘)
영률
430GPa(4점 굽힘, 1300°C)
열전도율
300W·m⁻¹·K⁻¹
열팽창계수(CTE)
4.5 × 10⁻⁶K⁻¹

응용

·급속 열 어닐링(RTA)

· 급속열처리(RTP)

· 실리콘 웨이퍼 어닐링

· 도펀트 활성화

· 산화

· 확산

·화합물 반도체 제조

·MEMS 제작

·전력반도체 가공


FAQ

1. RTP/RTA 캐리어란 무엇입니까?

RTP/RTA 캐리어는 급속 열 처리 및 급속 열 어닐링 시스템 내부에 사용되는 웨이퍼 지지 부품입니다. 이는 열 사이클 전반에 걸쳐 균일한 열 전달을 제공하면서 반도체 웨이퍼를 안전하게 고정합니다.

2. CVD SiC 코팅이 선호되는 이유는 무엇입니까?

순수 흑연과 비교하여 CVD SiC 코팅은 우수한 산화 저항성, 더 낮은 입자 생성, 더 나은 화학적 안정성 및 훨씬 더 긴 서비스 수명을 제공합니다.

3. VETEK은 맞춤형 RTP/RTA 캐리어를 제공할 수 있나요?

예. VETEK은 고객 도면을 기반으로 맞춤형 RTP/RTA 캐리어를 제공합니다.


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