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CVD SIC 코팅 보호기
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CVD SIC 코팅 보호기

Vetek 반도체의 CVD SIC 코팅 보호자는 LPE SIC 에피 택시이며, "LPE"라는 용어는 일반적으로 저압 화학 증기 증착 (LPCVD)에서 저압 에피 택시 (LPE)를 나타냅니다. 반도체 제조에서 LPE는 단결정 박막을 재배하는 데 중요한 공정 기술이며, 종종 실리콘 에피 택셜 층 또는 기타 반도체 에피 택셜 층을 재배하는 데 사용됩니다.


제품 포지셔닝 및 핵심 기능 :

CVD SIC 코팅 보호기는 주로 반응 챔버의 내부 구조를 보호하고 공정 안정성을 향상시키는 데 주로 사용되는 LPE 실리콘 카바이드 에피 택셜 장비의 핵심 구성 요소입니다. 핵심 기능에는 다음이 포함됩니다.


부식 방지 : 화학 증기 증착 (CVD) 공정에 의해 형성된 실리콘 카바이드 코팅은 염소/불소 플라즈마의 화학적 부식에 저항 할 수 있으며 에칭 장비와 같은 가혹한 환경에 적합합니다.

열 관리 : 실리콘 카바이드 물질의 높은 열전도율은 반응 챔버에서 온도 균일 성을 최적화하고 에피 택셜 층의 품질을 향상시킬 수 있습니다.

오염 감소 : 안감 구성 요소로서 반응 부산물이 챔버에 직접 접촉하여 장비 유지 보수주기를 연장하는 것을 방지 할 수 있습니다.


기술적 특성 및 디자인 :


구조 설계 :

일반적으로 상단 및 하프 반달 부품으로 나뉘어 트레이 주위에 대칭 적으로 설치되어 고리 모양의 보호 구조를 형성합니다.

트레이 및 가스 샤워 헤드와 같은 구성 요소와 협력하여 공기 흐름 분포 및 플라즈마 포커싱 효과를 최적화합니다.

코팅 공정 :

CVD 방법은 ± 5% 이내의 필름 두께의 균일 성 및 Ra≤0.5μm만큼 낮은 표면 거칠기를 갖는 고순도 SIC 코팅을 증착하는데 사용된다;

일반적인 코팅 두께는 100-300μm이며 1600 ℃의 고온 환경을 견딜 수 있습니다.


응용 프로그램 시나리오 및 성능 장점 :


해당 장비 :

주로 LPE의 6 인치 8 인치 실리콘 카바이드 에피 택셜 퍼니스에 주로 사용되며, Sic homoepitaxial 성장을 지원합니다.

에칭 장비, MOCVD 장비 및 높은 부식 저항이 필요한 기타 시나리오에 적합합니다.

주요 지표 :

열 팽창 계수 : 4.5 × 10 °/k (열 응력을 감소시키기 위해 흑연 기판과 일치);

저항력 : 0.1-10Ω · cm (충전 전도도 요구 사항);

서비스 수명 : 전통적인 석영/실리콘 재료보다 3-5 배 더 길다.


기술적 장벽과 도전


이 제품은 코팅 균일 성 제어 (예 : 에지 두께 보상) 및 기판 코팅 인터페이스 결합 최적화 (≥30mpa)와 같은 공정 어려움을 극복해야하며 동시에 LPE 장비의 고속 회전 (1000rpm) 및 온도 그라디언트 요구 사항과 일치해야합니다.





CVD SIC 코팅의 기본 물리적 특성 :

CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE

CVD SIC 코팅의 기본 물리적 특성
재산 전형적인 가치
결정 구조 FCC β 상 다결정, 주로 (111) 배향
밀도 3.21 g/cm³
경도 2500 Vickers 경도 (500g 부하)
곡물 크기 2 ~ 10mm
화학적 순도 99.99995%
열용량 640 J · Kg-1·케이-1
승화 온도 2700 ℃
굽힘 강도 415 MPa RT 4 점
영률 430 gpa 4pt end, 1300 ℃
열전도율 300W · m-1·케이-1
열 팽창 (CTE) 4.5 × 10-6K-1


생산 상점 :

VeTek Semiconductor Production Shop


반도체 칩 에피 택시 산업 체인의 개요 :

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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