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급속한 기술 발전 시대에 첨단 제조 기술의 중요한 대표자인 3D 프린팅은 전통 제조의 면모를 점차 변화시키고 있습니다. 지속적인 기술 성숙과 비용 절감으로 인해 3D 프린팅 기술은 항공우주, 자동차 제조, 의료기기, 건축 설계 등 다양한 분야에서 폭넓은 응용 가능성을 보여주며 이들 산업의 혁신과 발전을 촉진해 왔습니다.

단결정 재료만으로는 다양한 반도체 장치의 생산 증가의 요구를 충족시킬 수 없습니다. 1959 년 말, 단결정 재료 성장 기술의 얇은 층 - 에피 택셜 성장이 개발되었습니다.

실리콘 카바이드는 고온, 고주파, 고전력 및 고전압 장치를 만드는 데 이상적인 재료 중 하나입니다. 생산 효율을 향상시키고 비용을 줄이기 위해 대형 실리콘 카바이드 기판의 준비는 중요한 개발 방향입니다.

해외 뉴스에 따르면, 6 월 24 일에 Bytedance가 미국 칩 디자인 회사 인 Broadcom과 협력하여 고급 인공 지능 (AI) 컴퓨팅 프로세서를 개발하고 있으며, 이는 중국 간의 긴장 가운데 고급 칩을 적절히 공급하는 데 도움이 될 것입니다. 그리고 미국.

SiC 산업의 선도적인 제조업체인 Sanan Optoelectronics의 관련 역학은 업계에서 광범위한 주목을 받았습니다. 최근 Sanan Optoelectronics는 8인치 변형, 새로운 기판 공장 생산, 새로운 회사 설립, 정부 보조금 및 기타 측면을 포함하는 일련의 최신 개발을 공개했습니다.

물리 증기 수송 (PVT) 방법을 사용하여 SIC 및 ALN 단일 결정의 성장에서, Crucible, Seed Holder 및 Guide Ring과 같은 중요한 구성 요소는 중요한 역할을합니다. 도 2 [1]에 도시 된 바와 같이, PVT 공정 동안, 종자 결정은 낮은 온도 영역에 위치하는 반면, SIC 원료는 더 높은 온도 (2400 ℃ 이상)에 노출된다.