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소식
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우리는 업무 결과, 회사 소식을 귀하와 공유하게 된 것을 기쁘게 생각하며 시기적절한 개발과 인사 임명 및 해고 조건을 알려드립니다.
회사 뉴스
업계 뉴스
29
2024-07
3C SIC의 개발 기록
지속적인 기술 발전과 심층적인 메커니즘 연구를 통해 3C-SiC 헤테로에피텍셜 기술은 반도체 산업에서 더욱 중요한 역할을 담당하고 고효율 전자소자 개발을 촉진할 것으로 기대됩니다.
27
2024-07
ALD 원자층 증착 레시피
공간적으로 공간적으로 분리 된 원자 층 증착. 웨이퍼는 다른 위치 사이에서 움직이고 각 위치의 다른 전구체에 노출됩니다. 아래 그림은 전통적인 ALD와 공간적으로 분리 된 ALD의 비교입니다.
27
2024-07
탄탈 룸 탄화물 기술 혁신, SIC 에피 택셜 오염은 75%감소 했습니까?
최근 독일 연구소 인 Fraunhofer IISB는 탄탈 룸 카바이드 코팅 기술의 연구 및 개발에 돌파구를했으며 CVD 증착 솔루션보다 유연하고 환경 친화적 인 스프레이 코팅 솔루션을 개발했으며 상용화되었습니다.
19
2024-07
반도체 산업에서 3D 프린팅 기술의 탐색 적용
급속한 기술 발전 시대에 첨단 제조 기술의 중요한 대표자인 3D 프린팅은 전통 제조의 면모를 점차 변화시키고 있습니다. 지속적인 기술 성숙과 비용 절감으로 인해 3D 프린팅 기술은 항공우주, 자동차 제조, 의료기기, 건축 설계 등 다양한 분야에서 폭넓은 응용 가능성을 보여주며 이들 산업의 혁신과 발전을 촉진해 왔습니다.
16
2024-07
실리콘 (SI) 에피 택시 제조 기술
단결정 재료만으로는 다양한 반도체 장치의 생산 증가의 요구를 충족시킬 수 없습니다. 1959 년 말, 단결정 재료 성장 기술의 얇은 층 - 에피 택셜 성장이 개발되었습니다.
11
2024-07
8 인치 실리콘 탄화물 단결정 성장 용광로 기술 기반
실리콘 카바이드는 고온, 고주파, 고전력 및 고전압 장치를 만드는 데 이상적인 재료 중 하나입니다. 생산 효율을 향상시키고 비용을 줄이기 위해 대형 실리콘 카바이드 기판의 준비는 중요한 개발 방향입니다.
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