4H N- 타입 SIC 기판

반도체4H N- 타입 SIC 기판전기적, 열적, 기계적 특성이 우수하여 고전력, 고주파, 고온, 고신뢰성이 요구되는 반도체 소자 가공에 널리 사용되는 제품입니다.

4H N형 SiC의 항복 전계 강도는 2.2~3.0MV/cm만큼 높습니다. 이 제품 기능을 통해 더 작은 장치를 제조하여 더 높은 전압을 처리할 수 있으므로 당사의 4H N형 SiC 기판은 MOSFET, 쇼트키 및 JFET를 제조하는 데 자주 사용됩니다.

4H N- 타입 SIC 웨이퍼의 열 전도도는 약 4.9 w/cm · K이며, 이는 열을 효과적으로 소산하고 열 축적을 줄이며 장치 수명을 연장하며 고전력 밀도 응용에 적합합니다.

또한, Vetek 반도체 4H N- 타입 SIC 웨이퍼는 최대 600 ° C의 온도에서 안정적인 전자 성능을 가질 수 있으므로 종종 고온 센서를 제조하는 데 사용되며 극한 환경에 매우 적합합니다.

N- 타입 실리콘 카바이드 기판에서 실리콘 카바이드 에피 택셜 층을 재배함으로써, 실리콘 카바이드 homoepitaxial 웨이퍼는 SBD, MOSFET, IGBT 등과 같은 전력 장치로 전력 장치, 철도 운송, 높은에 사용될 수 있습니다. -전력 전송 및 변환 등

Vetek 반도체는 고객의 요구를 충족시키기 위해 더 높은 결정 품질과 처리 품질을 계속 추구하고 있습니다. 현재 6 인치 및 8 인치 제품을 모두 사용할 수 있습니다. 다음은 6 인치 및 8 인치 SIC 기판의 기본 제품 매개 변수입니다.

6 LNCH N 형 SIC 기판 기본 제품 사양 :

8 LNCH N 형 SIC 기판 기본 제품 사양 :

4H N형 SiC 기판 감지 방법 및 용어: