4°오프 축 p형 SiC 웨이퍼

VeTek Semiconductor는 중국 반도체 전문 제조사로서 4°off axis p-typeSIC 웨이퍼절단 할 때 결정 (보통 C 축)의 주요 결정 방향에서 4 °를 벗어난 4H 실리콘 카바이드 (SIC) 웨이퍼를 나타냅니다. 이 제품은 일반적으로 반도체 산업 체인에서 전력 전자 장치 및 무선 주파수 (RF) 장치의 제조에 사용되며 우수한 제품 장점이 있습니다.

VeTek Semiconductor의 4°off axis p형 SiC 웨이퍼는 Off-axis 절단을 통해 에피택시층 성장 시 발생하는 전위 및 결함을 효과적으로 줄여 웨이퍼의 품질을 향상시킬 수 있습니다. 또한, 4° Off-Axis 방향은 보다 균일하고 결함이 없는 에피택셜 층을 성장시키는 데 도움이 되고, 에피택셜 층의 품질을 향상시키며, 일반적으로 고성능 장치 제조에 적합합니다.

또한, Vetek 반도체의 4 ° 오프 축 P 형 SIC 웨이퍼 제품은 웨이퍼에 더 많은 홀 캐리어를 갖고 (알루미늄 또는 붕소) 수용체 불순물을 도핑함으로써 P 형 반도체를 형성 할 수 있습니다. P- 타입 4H-Sic 웨이퍼는 종종 P- 타입 층이 필요한 전력 장치 제조에 사용됩니다. 이 유형의 반도체에는 우수한 전기 특성이 있습니다.

6H-sic과 같은 다른 다형성과 비교하여4H-SiC전자 이동성과 전기 전계 강도가 높으며 고주파 및 고출력 시나리오에 적합합니다. 또한 4H-SIC 재료는 우수한 고전압 및 고온 저항성을 가지며 가혹한 환경에서 정상적으로 작동 할 수 있습니다.

2 인치 4 인치 4 ° axis p-type sic 웨이퍼 크기 관련 표준：

6 인치 4 ° Axis P- 타입 SIC 웨이퍼 크기 관련 표준：

4°오프 축 p형 SiC 웨이퍼 감지 방법 및 용어：

VeTek Semiconductor는 이미 2~6인치의 4° 축외 p형 4H-SiC 기판을 보유하고 있습니다..기판은 알루미늄으로 도핑되어 파란색으로 나타납니다. 저항률 범위는 0.1~0.7Ω·cm입니다.. 

Axis P-Type SIC 웨이퍼에 대한 4 ° 제품 요구 사항이있는 경우 당사에 문의하십시오.