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실리콘 (SI) 에피 택시 제조 기술

단결정 재료만으로는 다양한 반도체 장치의 생산 증가의 요구를 충족시킬 수 없습니다. 1959 년 말, 단결정 재료 성장 기술의 얇은 층 - 에피 택셜 성장이 개발되었습니다.

실리콘 카바이드는 고온, 고주파, 고전력 및 고전압 장치를 만드는 데 이상적인 재료 중 하나입니다. 생산 효율을 향상시키고 비용을 줄이기 위해 대형 실리콘 카바이드 기판의 준비는 중요한 개발 방향입니다.

해외 뉴스에 따르면, 6 월 24 일에 Bytedance가 미국 칩 디자인 회사 인 Broadcom과 협력하여 고급 인공 지능 (AI) 컴퓨팅 프로세서를 개발하고 있으며, 이는 중국 간의 긴장 가운데 고급 칩을 적절히 공급하는 데 도움이 될 것입니다. 그리고 미국.

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